W-Ti溅射靶制造技术

本发明专利技术的W‑Ti溅射靶具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti及25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe，且余量由W及不可避免的杂质构成，在靶面内的多处测定Fe浓度，并将所测定的Fe浓度的最大值设为Femax，Fe浓度的最小值设为Femin的情况下，满足(Femax‑Femin)/(Femax+Femin)≤0.25这一关系式。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种例如在安装半导体元件时使用的凸块与接地电极之间，作为防止彼此的元素扩散的扩散防止层形成W-Ti膜的W-Ti溅射靶。本申请主张基于2014年10月8日于日本申请的专利申请2014-207343号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
以往，将半导体芯片安装到基板时，例如在Al电极或Cu电极上形成Au凸块或焊锡凸块等。在此，例如在Al电极与Au凸块直接接触的情况下，因Al与Au彼此扩散而导致形成Al与Au的金属间化合物，可能会使电阻上升或粘附性下降。并且，例如在Cu电极与焊锡凸块直接接触的情况下，因Cu与焊锡中的Sn彼此扩散而导致形成Cu与Sn的金属间化合物，可能会使电阻上升或粘附性下降。因此，例如使用专利文献1、2中公开的W-Ti溅射靶，在接地电极与凸块之间作为防止彼此的元素扩散的扩散防止层形成W-Ti膜。另外，专利文献1、2中记载的W-Ti溅射靶分别通过粉末烧结法制造。在此，在接地电极与凸块之间作为扩散防止层形成W-Ti膜时，在接地电极的整个面形成W-Ti膜之后形成凸块，并通过蚀刻去除没有形成凸块的区域的W-Ti膜。但是，由于蚀刻速度非常迟缓，因此存在该W-Ti膜的生产效率较差的问题。因此，专利文献3中公开有使用微量添加Fe的W-Ti溅射靶，从而使所形成的W-Ti膜中含有Fe，并能够改善蚀刻速度的技术。专利文献1：日本专利第2606946号公报专利文献2：日本特开平05-295531号公报专利文献3：日本专利第4747368号公报然而，如上所述通过在W-Ti膜中微量添加Fe而其蚀刻速度得到改善，但是在W-Ti膜的Fe浓度产生偏差的情况下，会导致蚀刻速度在W-Ti膜内局部变化，从而可能无法进行均匀的蚀刻。因此，期待一种能够形成Fe浓度的偏差较小且蚀刻速度均匀的W-Ti膜的W-Ti溅射靶。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够形成Fe浓度的偏差较小且蚀刻速度均匀的W-Ti膜的W-Ti溅射靶。为了解决上述课题，作为本专利技术的一方式的W-Ti溅射靶的特征在于，具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti及25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe，且余量由W及不可避免的杂质构成，在靶面内的多处测定Fe浓度，并将所测定的Fe浓度的最大值设为Femax，将Fe浓度的最小值设为Femin的情况下，满足如下关系式：(Femax-Femin)/(Femax+Femin)≤0.25。如此构成的本专利技术的W-Ti溅射靶中，由于含有25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe，因此能够改善所形成的W-Ti膜的蚀刻速度。而且，在靶面内的多处测定Fe浓度，所测定的Fe浓度的最大值(Femax)与Fe浓度的最小值(Femin)满足上述关系式，因此靶面内的Fe浓度的偏差得到抑制。因此，能够形成Fe浓度的偏差较小且蚀刻速度均匀的W-Ti膜。如上所述，根据本专利技术可提供一种能够形成Fe浓度的偏差较小且蚀刻速度均匀的W-Ti膜的W-Ti溅射靶。附图说明图1为表示本专利技术的一实施方式所涉及的W-Ti溅射靶的制造方法的流程图。图2为表示靶面呈圆形的W-Ti溅射靶的靶面中的Fe浓度的测定位置的说明图。图3为表示靶面呈矩形的W-Ti溅射靶的靶面中的Fe浓度的测定位置的说明图。图4为说明实施例中测定形成于基板上的W-Ti膜的蚀刻速度的部位的说明图。具体实施方式以下，参考附图对作为本专利技术的实施方式的W-Ti溅射靶进行说明。本实施方式所涉及的W-Ti溅射靶例如在为了将液晶驱动IC接合到COF带，而通过溅射在形成于液晶驱动IC上的Au凸块与Al焊垫部(接地电极)之间作为扩散防止层形成W-Ti膜时使用。本实施方式所涉及的W-Ti溅射靶具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti及25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe，且余量由W及不可避免的杂质构成。而且，在靶面内的多处测定Fe浓度，并将所测定的Fe浓度的最大值设为Femax，将Fe浓度的最小值设为Femin的情况下，满足如下关系：(Femax-Femin)/(Femax+Femin)≤0.25以下，对如上规定成分组成的理由进行说明。＜Ti：5质量％以上且20质量％以下＞在W-Ti溅射靶中的Ti含量小于5质量％的情况下，可能使所形成的W-Ti膜与接地电极的粘附性下降。另一方面，在W-Ti溅射靶中的Ti含量超过20质量％的情况下，会导致所形成的W-Ti膜的电阻上升，并且可能无法通过所形成的W-Ti膜充分防止构成凸块的元素(本实施方式中为Au)与构成接地电极的元素(本实施方式中为Al)彼此的扩散。因此，在本实施方式中，将W-Ti溅射靶中的Ti的含量规定在5质量％以上且20质量％以下的范围内。另外，Ti的含量的下限优选设为7质量％以上，更优选设为9质量％以上。并且，Ti的含量的上限优选设为15质量％以下，更优选设为13质量％以下。＜Fe：25质量ppm以上且100质量ppm以下＞在W-Ti溅射靶中的Fe的含量小于25质量ppm的情况下，可能无法充分改善所形成的W-Ti膜的蚀刻速度。另一方面，在W-Ti溅射靶中的Fe的含量超过100质量ppm的情况下，可能无法通过所形成的W-Ti膜充分防止构成凸块的元素(本实施方式中为Au)与构成接地电极的元素(本实施方式中为Al)的彼此的扩散。因此，本实施方式中，将W-Ti溅射靶中的Fe的含量规定在25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内。另外，Fe的含量的下限优选设为30质量ppm以上，进一步优选设为35质量ppm以上。并且，Fe的含量的上限优选设为75质量ppm以下，进一步优选设为50质量ppm以下。＜(Femax-Femin)/(Femax+Femin)≤0.25＞在使用本实施方式的W-Ti溅射靶形成W-Ti膜的情况下，各个原子从W-Ti溅射靶的整个靶面溅射出来而形成膜。在此，在靶面内的多处测定Fe浓度且所测定的Fe浓度的最大值(Femax)与Fe浓度的最小值(Femin)满足上述关系式的情况下，在靶面内Fe浓度的偏差变小。因此，使用该W-Ti溅射靶而形成的W-Ti膜的Fe浓度的偏差也变小，且蚀刻速度变得均匀。另外，(Femax-Femin)/(Femax+Femin)优选设为0.2以下，更优选设为0.15以下。另外(Femax-Femin)/(Femax+Femin)越低越好，但极度降低(Femax-Femin)/(Femax+Femin)会导致成本的增加。因此，(Femax-Femin)/(Femax+Femin)可以为0.005以上。在此，本实施方式中，在W-Ti溅射靶的靶面呈圆形的情况下，如图2所示，在圆的中心(1)及通过圆的中心并相互正交的2条直线上的外周部分(2)、(3)、(4)、(5)这5个点测定Fe浓度，并求出上述Fe浓度的最大值(Femax)与Fe浓度的最小值(Femin)。外周部分(2)、(3)、(4)、(5)例如可以是从靶的周缘向中心侧约为10mm的位置。并且，在W-Ti溅射靶的靶面呈矩形的情况下，如图3所示，在对角线正交的交点(1)及各对角线上的角部(2)、(3)、(4)、(5)这5个点测定Fe浓度，并求出上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种W‑Ti溅射靶，其具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti及25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe，且余量由W及不可避免的杂质构成，在靶面内的多处测定Fe浓度，并将所测定的Fe浓度的最大值设为Femax，将Fe浓度的最小值设为Femin的情况下，满足如下关系式：(Femax‑Femin)/(Femax+Femin)≤0.25。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.08 JP 2014-2073431.一种W-Ti溅射靶，其具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti及25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内...

【专利技术属性】
技术研发人员：野中庄平，斋藤淳，大友健志，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP