垂直扩散金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法技术

一种垂直扩散金属氧化物半导体DMOS场效晶体管FET包括：具有第一传导类型的衬底(115)，其形成漏极区；在所述衬底上的具有所述第一传导类型的外延层(110)；在所述外延层内的具有所述第二传导类型的第一基极区(120)及第二基极区(125)，所述基极区间隔开预定义距离；具有第一传导类型的第一源极区及第二源极区(130)，其分别布置于所述第一基极区及所述第二基极区中，其中所述第一基极区及所述第二基极区可操作以在所述源极区与所述外延层之间形成第一横向通道及第二横向通道；栅极结构(150)，其通过绝缘结构(140)而与所述外延层绝缘且布置于所述第一基极区与所述第二基极区之间的区上方，且其中所述栅极结构包括第一栅极区(152)及第二栅极区(154)，每一栅极区仅覆盖分别在所述第一基极区及所述第二基极区内的所述第一通道及所述第二通道。所述栅极结构可包括安置于所述绝缘结构的厚层(145)上且将所述第一栅极区域与所述第二栅极区互连的桥接区(156)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请案涉及一种垂直扩散金属氧化物半导体(DMOS)场效晶体管(FET)。
技术介绍
与集成电路中的横向晶体管相比，功率金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)一般用以处置高功率电平。图6展示使用垂直扩散MOSFET结构(也称为双扩散MOSFET结构(DM0S 或 VDM0S))的典型 MOSFET。如所展示，例如，在图6中，在N+衬底415上形成有N-外延层，所述N-外延层的厚度及掺杂一般确定装置的电压额定值。自顶部至外延层410中，形成有N+掺杂的左源极区430及右源极区430，所述源极区430由形成P基极的P掺杂区420围绕。P基极可具有围绕P基极420的向外扩 散区域425。源极接点460 —般在裸片的表面上接触区430及420两者且一般由连接左源极区及右源极区两者的金属层形成。绝缘层450 (通常为二氧化硅或任何其它合适材料)使覆盖P基极区420及向外扩散区域425的一部分的多晶硅栅极440绝缘。栅极440连接至通常由另一金属层形成的栅极接点470。此垂直晶体管的底侧具有形成漏极接点480的另一金属层405。总之，图6展示可为极小的且包括共同漏极、共同栅极以及两个源极区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗恩·S·布雷思韦特，兰迪·L·亚克，
申请(专利权)人：密克罗奇普技术公司，
类型：
国别省市：