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一种垂直扩散金属氧化物半导体DMOS场效晶体管FET包括：具有第一传导类型的衬底(115)，其形成漏极区；在所述衬底上的具有所述第一传导类型的外延层(110)；在所述外延层内的具有所述第二传导类型的第一基极区(120)及第二基极区(125)...
该专利属于密克罗奇普技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过密克罗奇普技术公司授权不得商用。

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