晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管制造技术

本发明专利技术是一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带的绝缘层（2）、位于绝缘层外的双栅（3），分为顶栅（31）和底栅（32），绝缘层的长度与石墨烯纳米条带（1）相同；在石墨烯纳米条带（1）的左右两端分别设有源极（4）、漏极（5），与源极、漏极相连的石墨烯纳米条带部分分别设有长度相同的源区（41）、漏区（51），源区（41）、漏区（51）均采用相同参数的N型重掺杂；石墨烯纳米条带中间部分为沟道区（7），沟道区（7）在靠近源区（4）一侧，设有HALO掺杂区（6），采用P型重掺杂，剩余沟道部分不掺杂；该种结构能有效改善器件的亚阈值性能，提高器件的高频特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨烯条带场效应管领域，尤其是石墨烯条带的异质栅结构和晕(HALO)掺杂结构方面。
技术介绍
石墨烯是一种平面结构的材料，它由碳原子通过sp2化学键相连形成蜂窝状排列而构成，是目前发现的唯--种在室温下保持稳定二维结构的平面材料。目前，硅材料纳米器件几乎达到极限，很难再进一步提升性能。而石墨烯得益于自身所具有的高载流子迁移率，以及优秀的机械特性和热学稳定性，能很好的克服硅材料器件在性能进一步提升时所出现的种种限制，被认为是在未来能取代硅基器件的材料。对石墨烯在某一特定的方向上以很窄的宽度进行刻蚀，或者进行复制排列，就可以形成石墨烯纳米条带。相比于二维的石墨烯，石墨烯条带打开了较小的带隙，因此电学特性比零带隙的二维石墨烯有了显著的提升。石墨烯条带的电学特性对条带的宽度和边缘的形状十分敏感，可以分为锯齿型石墨烯条带和扶手型石墨烯条带。锯齿型的石墨烯条带，无论条带的宽度是多少，都 表现出金属的特性。而扶手型石墨烯条带随着空隙宽度和条带宽度的变化会表现出金属或者半导体的特性。半导体型的石墨烯条带可以用作场效应管的沟道材料，许多研究表明，石墨烯条带场效应管(GNRFET)将成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，其特征在于：?该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带（1）的绝缘层（2）、位于绝缘层（2）外的双栅（3），分为顶栅（31）和底栅（32），绝缘层（2）的长度与石墨烯纳米条带（1）相同；在石墨烯纳米条带（1）的左右两端分别设有源极（4）、漏极（5），与源极（4）、漏极（5）相连的石墨烯纳米条带部分分别设有长度相同的源区（41）、漏区（51），源区（41）、漏区（51）均采用相同参数的N型重掺杂；石墨烯纳米条带（1）中间部分为沟道区（7），沟道区（7）在靠近源区（4）一侧，设有HALO掺杂区（6）...

【技术特征摘要】
1.一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，其特征在于: 该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带(I)、覆盖石墨烯纳米条带(I)的绝缘层(2)、位于绝缘层(2)外的双栅(3)，分为顶栅(31)和底栅(32)，绝缘层(2)的长度与石墨烯纳米条带(I)相同； 在石墨烯纳米条带(I)的左右两端分别设有源极(4)、漏极(5)，与源极(4)、漏极(5)相连的石墨烯纳米条带部分分别设有长度相同的源区(41)、漏区(51)，源区(41)、漏区(51)均采用相同参数的N型重掺杂；石墨烯纳米条带(I)中间部分为沟道区(7)，沟道区(7)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，肖广然，夏春萍，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：