鳍式场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种鳍式场效应晶体管FinFET。一种FinFET的典型结构包括：衬底，包括主面；第一鳍状件和第二鳍状件，自该衬底的主面向上延伸至第一高度；绝缘层，包括顶面，该绝缘层自衬底的主面向上延伸至第二高度，该第二高度小于第一高度，由此各鳍状件的部分延伸超过绝缘层的顶面；每个鳍状件被球形外延层覆盖，球形外延层限定相邻各鳍状件之间的漏斗形腔，所述腔包括上部和下部，其中，作为所述腔的下部的边界的球形外延层被转化为硅化物。本发明专利技术还公开了制造鳍式场效应晶体管的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，且更具体地，涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)以及其制造方法。
技术介绍
随着半导体工业为了追求更高的器件密度、更高的性能以及更低的成本而已进入纳米技术工艺节点，来自制造以及设计问题的挑战导致了诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维设计的发展。典型的FinFET被制造为具有薄的、自衬底延伸的纵向“鳍”(或鳍状结构)，该鳍或鳍状结构通过例如刻蚀掉衬底的硅层的一部分来制造。FinFET的沟道形成于这种纵向鳍状件中。栅极提供在鳍状件上方(例如，包裹)。沟道的两边均具有栅极，允许自每一边的沟道的栅极控制。另外，在FinFET的源极/漏极(S/D)部分中的、采用选择性生长的锗化硅(SiGe)的应变材料可用于增强载流子迁移率。然而，在互补金属氧化物半导体(CMOS)制造中，存在实施这种部件和工艺的挑战。例如，应变材料上的硅化物的不均匀分布引起FinFET的源极/漏极区的高接触电阻，由此降低器件性能。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括:衬底，所述衬底包括主面；第一鳍状件和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底，所述衬底包括主面；第一鳍状件和第二鳍状件，所述第一鳍状件和所述第二鳍状件自所述衬底的所述主面向上延伸至第一高度；以及绝缘层，所述绝缘层包括顶面并且自所述衬底的所述主面向上延伸至第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此所述各鳍状件的部分延伸超过所述绝缘层的所述顶面；其中，每个所述鳍状件被球形外延层覆盖，所述球形外延层限定相邻鳍状件之间的漏斗形腔，所述腔包括上部和下部，并且其中作为所述腔的所述下部的边界的所述球形外延层被转化为硅化物。

【技术特征摘要】
2012.01.31 US 13/363,0031.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括: 衬底,所述衬底包括主面； 第一鳍状件和第二鳍状件，所述第一鳍状件和所述第二鳍状件自所述衬底的所述主面向上延伸至第一高度；以及绝缘层，所述绝缘层包括顶面并且自所述衬底的所述主面向上延伸至第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此所述各鳍状件的部分延伸超过所述绝缘层的所述顶面；其中，每个所述鳍状件被球形外延层覆盖，所述球形外延层限定相邻鳍状件之间的漏斗形腔，所述腔包括上部和下部，并且其中作为所述腔的所述下部的边界的所述球形外延层被转化为硅化物。2.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述第二高度与所述第一高度的比在大约0.5至大约0.8之间。3.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述漏斗形腔的最小宽度在从大约3nm至大约IOnm之间。4.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述漏斗形腔的最小宽度与所述漏斗形腔的最大宽度的比在从大约0.1至大约0.5之间。5.根据权利要求1所述的FinFET，其中，作为所述腔的所述下部的边界的所述球形外延层全部被转化为硅化物。6.根据权利要求1所述的FinFET，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵元舜，陈豪育，杨士洪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：