具有大磁电阻效应的CoFeB/SiO2/n‑Si异质结构及制备方法技术
本发明专利技术涉及一种具有大磁电阻效应的CoFeB/SiO2/n‑Si异质结构及制备方法。在室温条件下，以Si为基底，溅射电流为0.02A，溅射电压为975V，CoFeB薄膜的厚度为160nm时，CoFeB/SiO2/n‑Si异质结构具有大的磁电阻效应。Si基底晶格排列有序，CoFeB薄膜晶格排列无序，SiO2层厚度为2.5nm，界面两侧干净尖锐；电阻随温度的升高呈现先减小后增大的趋势；在200K温度和50kOe磁场下，磁电阻高达2300％。本发明专利技术所采用的磁控溅射法，与分子束外延法和化学方法相比，在工业化生产上具有明显优势。
【技术实现步骤摘要】
201610279012
【技术保护点】
一种具有大磁电阻效应的CoFeB/SiO2/n‑Si异质结构。
【技术特征摘要】
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