一种C3N4有机异质结的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种C3N4有机异质结的制备方法，包括：将硫脲、单氰胺、二氰二胺、三聚氰胺中的一种与尿素混合形成复合前驱体；将所述前驱体在300~650℃下煅烧，形成两种禁带结构匹配的C3N4，得到C3N4有机异质结。本发明专利技术提供的制备方法能够制备绿色环保、高可见光催化活性和高稳定性的同型C3N4有机异质结，制备方法简单可靠，反应进程易控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机化合物制备领域，具体涉及一种C3N4有机异质结的制备方法。
技术介绍
异质结是半导体领域的重要概念，由两种不同的半导体单晶或同位素单晶材料组成，具有一系列不同于单一半导体的特性。随着纳米技术的飞速发展，半导体材料和纳米技术的结合越来越紧密。纳米异质结借助纳米材料的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应 和介电限域效应等理化性质，与块体异质结相比具有很多优势，例如:纳米异质结能够支持大得多的电流密度，不存在传统集成电路的电迁移问题；因为纳米材料对晶格匹配度要求不高，纳米异质结连接更可靠，选材更宽泛；纳米异质结能够构建小尺寸器件。因此纳米异质结在电子器件、太阳能电池、光解水产氢、生物医学、环境修复等领域得到广泛研究。环境污染是影响人类生存和发展的重大问题之一。由于光催化技术催化活性和稳定性高、价格便宜和环境友好，因此在环境污染控制领域有很大的发展空间。常用的TiO2光催化剂存在量子效率低和不能有效利用可见光等缺点，而异质结的内建电场能够抑制光致电荷复合，提高量子效率，如果TiO2与窄带半导体构成异质结，窄带半导体的敏化作用能够拓展TiO2的响应光谱范围，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种C3N4有机异质结的制备方法，其特征在于，包括：将硫脲、单氰胺、二氰二胺、三聚氰胺中的一种与尿素混合形成前驱体混合物；将所述前驱体混合物在300~650℃下煅烧，得到C3N4有机异质结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董帆，李宇涵，李秋燕，孙艳娟，
申请(专利权)人：重庆工商大学，
类型：发明
国别省市：