【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，特别地，涉及一种具备通过电脉冲的施加而使其电阻值变化并将所述变化后的电阻值进行维持的电阻变化层的电阻变化型的非易失性存储元件及其制造方法等。
技术介绍
近年来，伴随数字技术的发展，便携式信息设备和信息家电等的电子设备正进一步进行功能化。因此，非易失性存储元件的大容量化、写入功率的降低、写入/读出时间的高速化、以及长寿命化的要求提高了。与这样的要求相反，可以说，现有的使用浮置栅极的闪烁存储器的微细化存在极限。另一方面，在是将电阻变化层使用作为存储部的材料的非易失性存储元件(电阻变化型存储器)的情况下，由于能够用以2端子的电阻变化元件所构成的简单结构的存储元件构成，因此当然期待着微细化、高速化和低耗电化。在将电阻变化层使用作为存储部的材料的情况下，例如，通过电脉冲的输入等，使其电阻值从高电阻向低电阻或者从低电阻向高电阻变化。在该情况下，需要将低电阻和高电阻的2个值明确地进行区别且使在低电阻和高电阻之间进行高速稳定的变化、或者使这2个值非易失性地被保持。作为该电阻变 化元件的一个例子，提出了将氧含有率不同的过渡金属氧化物层叠而使用于电阻变化层的非易...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：早川幸夫，三河巧，二宫健生，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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