具有电容性隔离的单片集成电路制造技术

一种集成电路包括：至少两个集成电路部分，在单个电绝缘芯片上彼此隔开；以及芯片上的至少一个耦接区，以在其他彼此隔离的集成电路部分之间提供电容性耦接，集成电路部分由单个芯片上的多个层形成，层包括金属层、介电层以及至少一个半导体层；其中，至少一个介电层从集成电路部分延伸穿过耦接区，金属层和/或至少一个半导体层中至少对应的一层从集成电路部分中的每个中延伸并且部分穿过耦接区，以在耦接区内形成电容器，从而在集成电路部分之间提供电容性耦接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种集成电路，特别是涉及一种具有电容性隔离的单片或单芯片集成电路以及一种制造集成电路的方法。
技术介绍
对于大多数应用而言，信号穿过电隔离势垒(barrier)的传输是重要的，应用包括如下:连接到干线电源的医疗设备(为了患者的安全)；连接到干线电源的设备之间的通过电缆的通信链路(为了避免接地回路)，例如USB、火线、以太网等等；电话线中隔离·电信设备(用于雷击保护)；干线电源数据网络(用于干线电源电力隔离)；精确的音频、检测和数据采集(用于抑制噪音拾取)；工业检测和控制(用于各种电源域的隔离)；自动(automotive)电路(用于保护免受高压电尖峰的影响)。通常，这样的通信已经通过使用光耦接器穿过电隔离势垒发送和接收光信号来实现。然而，光耦接器仅可支持较低的数据速率( IOMbps)并且消耗大量电力(>10mW)。由于这种缺点，电子设备制造商越来越多地引进基于多种技术的其他形式的数字隔离器，包括电感性(变压器)、电容性、以及巨磁电阻(GMR)耦接。然而，这些技术目前限于 150Mbps的数据速率。由于已经出现新的高速信令标准(包括USB2480Mbps、USB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚肖德汉·维贾伊·莫盖，安德鲁·特里，安德鲁·詹姆斯·里德，史蒂文·格兰特·杜瓦尔，
申请(专利权)人：斯兰纳私人集团有限公司，
类型：
国别省市：