电路装置制造方法及图纸

提供一种内置有对大电流进行开关的半导体元件的小型电路装置。本发明专利技术的混合集成电路装置10包括电路基板12、配置于电路基板12的上面的多个陶瓷基板22A—22G、安装于该陶瓷基板22A—22G的上面的晶体管等电路元件、与该电路元件连接并在外部露出的引线29等。并且，在本方式中，在电路基板12的中央部附近重叠配置有引线28,30,31A—31C，接近该引线重叠的区域配置并电连接有IGBT等电路元件。经IGBT被转换的交流电流经由引线31A等向外部输出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路装置
本专利技术涉及一种电路装置，特别是涉及在电路基板的上面安装有对大电流进行开关的功率类半导体元件的电路装置。
技术介绍
参照图9说明现有类型的混合集成电路装置100的结构。首先，在矩形基板101的表面隔着厚度200μm左右的绝缘层102形成有导电图案103，在该导电图案103的所希望的部位上连接电路元件而形成规定电路。在此，固定安装半导体元件105A与片状元件105B作为电路元件。并且，形成于半导体元件105A上表面的电极经由金属细线114与所希望的导电图案103连接，设置于片状元件105B两端的电极经由焊料固定安装于导电图案。另外，引线104与由形成于基板101周边部的导电图案109构成的焊盘连接，作为外部端子发挥作用。密封部件108具有密封形成于基板101表面的电路的功能。壳体部件111具有近似画框形状，与基板101的侧面抵接，由此，在基板101的上面形成用于填充密封树脂108的空间。具有上述结构的混合集成电路装置100的制造方法如下：首先，在上表面被由树脂构成的绝缘层102覆盖的基板101的上面形成具有规定形状的导电图案103。接着，在基板101的上面载置半导体元件10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.24 JP 2010-2136951.一种电路装置，其特征在于，包括：电路基板；半导体元件，配置于所述电路基板的上面；第一引线，在所述电路基板的上面与所述半导体元件电连接；第二引线，与所述半导体元件电连接，并且所述第二引线的至少一部分与所述第一引线重叠；第三引线，与所述半导体元件电连接，并且所述第三引线的至少一部分与所述第一引线和所述第二引线重叠，其中所述电路基板具有周边部，成形为画框形状的壳体部件固定安装在所述周边部的上表面，所述电路基板还具有中央部，其中所述第一引线、所述第二引线及所述第三引线配置于所述电路基板的中央部附近的重叠区域，其中所述第三引线被配置成L形，该L形的长边配置于在所述中央部中与所述第一引线、所述第二引线重叠的位置，并且该L形的另一边从重叠区域延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴崎孝，西塔秀史，牧野高久，清水胜德，佐佐木大辅，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：
国别省市：