单片集成的CMOS声波器件制造技术

一种集成CMOS和声波器件，包括：具有相对的第一和第二表面的电绝缘压电薄膜；形成在设置在压电薄膜的第一表面的一个或多个部分上的半导体薄膜中的一个或多个CMOS器件；以及具有设置在压电薄膜的第一和第二表面的至少一个上的导电传感器电极的至少一个声波结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单片集成的CMOS声波器件
本专利技术涉及单片集成的声波CMOS器件，以及用于生产该单片集成的声波CMOS器件的工艺。
技术介绍
比如表面声波(SAW)和薄膜体声波谐振器(FBAR)器件这样的声波器件对许多应用(包括电信和传感)来说是很重要的。这些应用通常需要微米级或纳米级的机械声波结构来提供例如带通滤波器、色散延迟线和振荡器等。为了促进这些结构与CMOS电子设备的使用，期望以相对低的成本通过集成对应的制造/工艺技术生产一种单一器件，其包括CMOS电子设备和一个或多个声波结构/器件。然而，此集成在技术上具有挑战性，到目前为止主要呈现混合集成或异构集成的形式；例如，通过将一个或多个预制声波器件倒装结合到预制CMOS器件上。虽然文献中存在均匀或单片集成的报告，但是在范围上仍然十分有限，并通常涉及在完成的预先存在CMOS器件的金属层的顶部上形成声波结构和压电材料。期望提供一种缓解现有技术的一个或多个困难或至少提供有用替代方案的集成的CMOS声波器件以及用于生产集成的CMOS声波器件的工艺。
技术实现思路
根据本专利技术，一种集成的CMOS声波器件,包括:具有相对的第一和第二表面的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成的CMOS声波器件，包括：具有相对的第一和第二表面的电绝缘压电薄膜；一个或多个绝缘体上半导体(SOI)CMOS器件，形成在设置在所述电绝缘压电薄膜的所述第一表面的一个或多个部分上的半导体薄膜中；以及至少一个声波结构，具有设置在所述压电薄膜的所述第一和第二表面中的至少一个上的导电传感器电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.20 US 61/578,2191.一种集成的CMOS声波器件,包括: 具有相对的第一和第二表面的电绝缘压电薄膜； 一个或多个绝缘体上半导体(SOI)CMOS器件，形成在设置在所述电绝缘压电薄膜的所述第一表面的一个或多个部分上的半导体薄膜中；以及 至少一个声波结构，具有设置在所述压电薄膜的所述第一和第二表面中的至少一个上的导电传感器电极。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述CMOS器件包括部分耗尽和全部耗尽CMOS器件中的至少一个。3.根据权利要求1或2所述的器件，其中，所述压电薄膜为所述CMOS器件提供实质性冷却路径。4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述压电薄膜基本上是无支撑的并且通过所述压电薄膜的大部分冷却是沿着所述压电薄膜的平面的。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的器件，其中，所述导电传感器电极至少设置在所述压电薄膜的所述第二表面上。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的器件，其中，所述导电传感器电极设置在所述压电薄膜的所述第一和第二表面上。7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述压电薄膜的所述第一表面上的所述导电传感器电极的至少一部分与所述压电薄膜的所述第二表面上的所述导电传感器电极中的对应电极对齐。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的器件，包括穿过所述压电薄膜的导电触点。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的器件，其中，所述导电传感器电极限定交叉型声波传感器。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的器件，其中，所述至少一个声波结构包括至少一个表面声波结构。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的器件，其中，所述至少一个声波结构包括至少一个体声波结构。12.根据权利要求1至11中的任一项所述的器件，包括经由一个或多个层结合到所述半导体薄膜的第一侧上的处理衬底，所述一个或多个层包括一个或多个互连层。13.根据权利要求1至12中的任一项所述的器件，其中，所述半导体薄膜是硅薄膜并且所述压电薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德鲁·约翰·布劳利，
申请(专利权)人：斯兰纳私人集团有限公司，
类型：发明
国别省市：澳大利亚;AU