声波器件制造技术

一种声波器件，该声波器件包括：Y‑切割X‑传播钽酸锂基板，所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角；以及格栅电极，所述格栅电极由层叠在基板上的一个或更多个金属膜组成，并且激发声波，其中，当所述一个或更多个金属膜中的各个金属膜的密度由ρi表示，各个金属膜的泊松比由Pi表示，各个金属膜的膜厚度由hi表示，Cu的密度由ρ0表示，Cu的泊松比由P0表示，并且节距由λ表示时，对于所述一个或更多个金属膜，各个金属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种声波器件，例如，涉及具有在压电基板上形成的格栅电极的声波器件。
技术介绍
在表示蜂窝电话的高频通信系统中，高频滤波器等被用于去除没有包括在将被用于通信的频带中的不期望信号。具有表面声波(SAW)元件的声波器件被用于高频滤波器等。SAW元件是在压电基板上形成诸如IDT(叉指换能器)的格栅电极的元件。存在作为SAW元件的使用SH(水平剪切)波的元件，其中，水平剪切波是一种表面声波。SH波是施加压力以在与压电基板的表面平行并且与所述SH波的传播方向正交的方向剪切压电基板的表面声波。与在压电基板的固体中传播的体波相比，SH波的声速快。为此原因，SH波在压电基板的表面上传播，而将体波发射到压电基板中。从而，在使用SH波的声波器件中，减少损耗受到限制。为了减少使用SH波的声波器件的损耗，通过将慢声速材料附接在压电基板上来降低SH波的声速。使得SH波的声速比在压电基板中传播的体波(例如，体波的最慢横向波)慢。由此，减少在传播SH波时的体波的发射，并且使用SH波的声波器件可以减少损耗。从而，减少损耗的器件通常被称为“洛夫波型SAW器件”。专利文献1(日本特开专利公报10-247835)公开了在具有0°的切割角(cutangle)的旋转Y-切割X-传播钽酸锂(LiTaO3)基板上形成Au电极，并且当假设电极的节距是“λ”并且膜厚度是“h”，“h/λ”从0.04改变至0.08时，减少损耗。专利文献1公开了通过将“h/λ”从0.04改变至0.08，使得SH波(漏波)的声速比最慢横向波的声速慢，并且因此减少损耗。专利文献2(日本特开专利公报2001-77662)公开了在具有36°的切割角的旋转Y-切割X-传播钽酸锂基板上形成Au电极，并且当“h/λ”从0改变至0.05时，减少损耗。而且，在具有IDT的声波器件中，已知减少不期望横向模式波的技术。专利文献3(日本特开专利公报2011-101350)公开了通过IDT的重叠区域中关于中心区域加宽边缘区域的电极指的宽度来减少不期望横向模式波。专利文献4(国际专利申请的日本国家公报2013-544041)公开了通过将介电膜添加到边缘区域的电极指来减少不期望横向模式波。专利文献1和2中的计算假设电极均匀地形成在压电基板上。即，每个电极都不是格栅电极。例如，在专利文献2中，计算在“h/λ”从0改变至0.1的情况下的机电耦合系数和传播损耗。然而，在该计算中，格栅电极不被用作电极。从而，专利文献1和2中的“h/λ”的范围不指示减少损耗的范围。
技术实现思路
本专利技术的目标在于提供一种减少损耗的声波器件。根据本专利技术的第一方面，提供一种声波器件，该声波器件包括：Y-切割X-传播钽酸锂基板，所述Y-切割X-传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角；以及格栅电极，所述格栅电极由层叠在基板上的一个或更多个金属膜组成，并且激发声波，其中，当所述一个或更多个金属膜中的各个金属膜的密度由ρi表示，各个金属膜的泊松比由Pi表示，各个金属膜的膜厚度由hi表示，Cu的密度由ρ0表示，Cu的泊松比由P0表示，并且节距由λ表示时，对于所述一个或更多个金属膜，各个金属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。在上述结构中，所述一个或更多个金属膜包括主要由Cu、W、Ru、Mo、Ta和Pt中的至少一种构成的金属膜。在上述结构中，所述总值是0.09或更大。根据本专利技术的第二方面，提供一种声波器件，所述声波器件包括：Y-切割X-传播钽酸锂基板，所述Y-切割X-传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角；以及格栅电极，所述格栅电极形成在所述基板上，激发声波，并且主要由Cu构成，其中，当所述格栅电极的膜厚度由h表示，并且格栅电极之间的节距由λ表示时，h/λ大于0.08。根据本专利技术的第三方面，提供一种声波器件，所述声波器件包括：Y-切割X-传播钽酸锂基板，所述Y-切割X-传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角；以及格栅电极，所述格栅电极形成在所述基板上，激发声波，并且主要由W构成，其中，当所述格栅电极的膜厚度由h表示，并且格栅电极之间的节距由λ表示时，h/λ大于0.05。根据本专利技术的第四方面，提供一种声波器件，所述声波器件包括：Y-切割X-传播钽酸锂基板，所述Y-切割X-传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角；以及格栅电极，所述格栅电极形成在所述基板上，激发声波，并且主要由Ru构成，其中，当所述格栅电极的膜厚度由h表示，并且格栅电极之间的节距由λ表示时，h/λ大于0.07。根据本专利技术的第五方面，提供一种声波器件，所述声波器件包括：Y-切割X-传播钽酸锂基板，所述Y-切割X-传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角；以及格栅电极，所述格栅电极形成在所述基板上，激发声波，并且主要由Mo构成，其中，当所述格栅电极的膜厚度由h表示，并且格栅电极之间的节距由λ表示时，h/λ大于0.08。在上述结构中，所述声波是SH(水平剪切)波。在上述结构中，所述声波器件还包括：介电膜，所述介电膜形成在所述基板上并且覆盖所述格栅电极。在上述结构中，设置有所述格栅电极的区域包括：中心区域，所述中心区域设置在所述格栅电极的延伸方向上的所述格栅电极的中心处；以及边缘区域，所述边缘区域设置在所述格栅电极的所述延伸方向上的所述格栅电极的边缘上，并且所述声波在所述边缘区域中的声速比所述声波在所述中心区域中的声速慢。在上述结构中，设置有所述格栅电极的区域包括：中心区域，所述中心区域设置在所述格栅电极的延伸方向上的所述格栅电极的中心处；以及边缘区域，所述边缘区域设置在所述格栅电极的所述延伸方向上的所述格栅电极的边缘上，并且所述边缘区域中的格栅电极在所述声波的传播方向上的宽度比所述中心区域中的格栅电极在所述声波的所述传播方向上的宽度宽。在上述结构中，设置有所述格栅电极的区域包括：中心区域，所述中心区域设置在所述格栅电极的延伸方向上的所述格栅电极的中心处；以及边缘区域，所述边缘区域设置在所述格栅电极的所述延伸方向上的所述格栅电极的边缘上，并且在所述边缘区域中的格栅电极上形成有附加膜，并且在所述中心区域中的格栅电极上未形成附加膜。在上述结构中，设置有所述格栅电极的区域包括：中心区域，所述中心区域设置在所述格栅电极的延伸方向上的所述格栅电极的中心处；以及边缘区域，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声波器件，该声波器件包括：Y‑切割X‑传播钽酸锂基板(10)，所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板(10)具有20°或更大且48°或更小的切割角；以及格栅电极(12a、12b、13a)，所述格栅电极(12a、12b、13a)由层叠在所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板上的一个或更多个金属膜组成，并且激发声波，其中，当所述一个或更多个金属膜(16、16a、16b)中的各个金属膜的密度由ρi表示，各个金属膜的泊松比由Pi表示，各个金属膜的膜厚度由hi表示，Cu的密度由ρ0表示，Cu的泊松比由P0表示，并且节距由λ表示时，对于所述一个或更多个金属膜，各个金属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。

【技术特征摘要】
2015.01.20 JP 2015-008909;2015.06.25 JP 2015-127711.一种声波器件，该声波器件包括：
Y-切割X-传播钽酸锂基板(10)，所述Y-切割X-传播钽酸锂基板(10)具有20°
或更大且48°或更小的切割角；以及
格栅电极(12a、12b、13a)，所述格栅电极(12a、12b、13a)由层叠在所述Y-
切割X-传播钽酸锂基板上的一个或更多个金属膜组成，并且激发声波，其中，当所
述一个或更多个金属膜(16、16a、16b)中的各个金属膜的密度由ρi表示，各个金
属膜的泊松比由Pi表示，各个金属膜的膜厚度由hi表示，Cu的密度由ρ0表示，Cu
的泊松比由P0表示，并且节距由λ表示时，对于所述一个或更多个金属膜，各个金
属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。
2.根据权利要求1所述的声波器件，其中
所述一个或更多个金属膜包括主要由Cu、W、Ru、Mo、Ta和Pt中的至少一种
构成的金属膜。
3.根据权利要求1所述的声波器件，其中
所述总值是0.09或更大。
4.一种声波器件，所述声波器件包括：
Y-切割X-传播钽酸锂基板(10)，所述Y-切割X-传播钽酸锂基板(10)具有20°
或更大且48°或更小的切割角；以及
格栅电极，所述格栅电极形成在所述Y-切割X-传播钽酸锂基板上，激发声波，
并且主要由Cu构成，其中，当所述格栅电极的膜厚度由h表示，并且格栅电极之间
的节距由λ表示时，h/λ大于0.08。
5.一种声波器件，所述声波器件包括：
Y-切割X-传播钽酸锂基板(10)，所述Y-切割X-传播钽酸锂基板(10)具有20°
或更大且48°或更小的切割角；以及
格栅电极(12a、12b、13a)，所述格栅电极(12a、12b、13a)形成在所述Y-切
割X-传播钽酸锂基板上，激发声波，并且主要由W构成，其中，当所述格栅电极的
膜厚度由h表示，并且格栅电极之间的节距由λ表示时，h/λ大于0.05。
6.一种声波器件，所述声波器件包括：
Y-切割X-传播钽酸锂基板(10)，所述Y-切割X-传播钽酸锂基板(10)具有20°
或更大且48°或更小的切割角；以及
格栅电极(12a、12b、13a)，所述格栅电极(12a、12b、13a)形成在所述Y-切
割X-传播钽酸锂基板上，激发声波，并且主要由Ru构成，其中，当所述格栅电极的
膜厚度由h表示，并且格栅电极之间的节距由λ表示时，h/λ大于0.07。
7.一种声波器件，所述声波器件包括：
Y-切割X-传播钽酸锂基板(10)，所述Y-切割X-传播钽酸锂基板(10)具有20°
或更大且48°或更小的切割角；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩城匡郁，佐藤良夫，田中旅人，中泽秀太郎，松田隆志，堤润，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP