层叠陶瓷电子部件及其制造方法以及电路板技术

本发明专利技术提供一种层叠陶瓷电子部件，包括：陶瓷体，其具有在第一轴方向上层叠的内部电极和垂直于与第一轴正交的第二轴的端面，内部电极交替地引出到端面；以及覆盖陶瓷体的端面的外部电极，其中，每个外部电极包括：底膜，其形成于端面中的对应端面上并与引出至对应端面的多个内部电极连接；形成于底膜上的第一Ni膜；形成于第一Ni膜上并且包含离子化倾向低于Ni的离子化倾向的金属作为主成分的金属膜；形成于金属膜上并且氢浓度高于第一Ni膜的氢浓度的第二Ni膜；以及形成于第二Ni膜上的表层膜。膜。膜。

【技术实现步骤摘要】
层叠陶瓷电子部件及其制造方法以及电路板


[0001]本专利技术涉及具有外部电极的层叠陶瓷电子部件，及其制造方法以及电路板。

技术介绍

[0002]通常，层叠陶瓷电容器的制造过程包括用于形成外部电极的镀覆工序。在这个镀覆工序中产生的氢容易吸藏并残留在外部电极中。在层叠陶瓷电容器中，外部电极中的氢扩散到陶瓷体中，导致例如绝缘电阻下降等问题。
[0003]日本专利申请特开第2016
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066783号(专利文献1)描述了一种制造层叠陶瓷电容器的方法，其中通过氧化包含Cu的外部电极体形成包含Cu2O的保护层，在保护层上形成Ni镀层，在形成Ni层后，在150℃以上的温度条件下进行热处理，并且，在热处理后形成Sn镀层。
[0004]然而，采用专利文献1所述的技术，当在外部电极体被氧化之后形成Ni镀层时，保护层(其为氧化膜)与Ni镀层之间的附着性可能会降低。此外，热处理后的Ni镀层的表面会被氧化并且变得不稳定。因此，通过在表面上直接形成Sn镀层，Sn镀层的附着性可能会降低，安装基板时使用的焊料的润湿性可能会降低。
[0005]日本专利申请特开第2021
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068851号(专利文献2)中描述了一种设置两个Ni镀层(即在热处理后的第一Ni镀层上设置第二Ni镀层)的技术。在这种技术中，可以获得Sn镀层与覆盖第一Ni镀层的第二Ni镀层(其表面通过热处理而被氧化)之间的较高的附着性。
[0006]相关参考文献
[0007]专利文献
[0008]日本专利申请特开第2016
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066783号
[0009]日本专利申请特开第2021
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068851号

技术实现思路

[0010]然而，在专利文献2描述的技术中，第二Ni镀层对第一Ni镀层的附着性受到存在于第一Ni镀层的表面的Ni氧化物的阻碍。因此，在这种技术中，即使获得了Sn镀层的较高的附着性，由于第一Ni镀层与第二Ni镀层之间的附着性不足，机械强度也可能降低。
[0011]本专利技术的目的是提供一种用于在层叠陶瓷电子部件的具有层叠结构的外部电极中获得较高的层间附着性的技术。
[0012]在本专利技术的一个方面，提供一种层叠陶瓷电子部件，包括：陶瓷体，其具有在第一轴方向上层叠的多个内部电极和垂直于与第一轴正交的第二轴的端面，多个内部电极交替地引出到端面；以及外部电极，其分别覆盖陶瓷体的端面，其中，每个外部电极包括：底膜，其形成于端面中的对应端面上并与引出至对应端面的多个内部电极连接；第一Ni膜，其形成于底膜上；金属膜，其形成于第一Ni膜上并且包含离子化倾向低于Ni的离子化倾向的金属作为主成分；第二Ni膜，其形成于金属膜上，并且第二Ni膜的氢浓度高于第一Ni膜的氢浓度；以及表层膜，其形成于第二Ni膜上。
[0013]在这种层叠陶瓷电子部件中，第一Ni膜被包含离子化倾向低于Ni的离子化倾向且比Ni难氧化的金属作为主成分的金属膜覆盖。因此，通过在形成金属膜后进行热处理，能够形成与难以氧化的金属膜的表面具有较高附着性的第二Ni膜。此外，由于当在金属膜的表面形成第二Ni膜时，不太可能发生因氧化而导致导电率降低，镀覆效率得到提高，能够保持较低的氢生成量。因此，可以防止由于氢扩散到陶瓷体中而引起的可靠性劣化。
[0014]具体地，金属膜可以包含Pd、Pt、Au、Ag、Cu和Sn中的至少一种作为主成分。
[0015]每个外部电极还包括反应层，反应层形成于第一Ni膜与金属膜之间，并且包含Ni和金属膜中所包含的作为主成分的金属。
[0016]金属膜的厚度可以为0.1μm以上且1.0μm以下。
[0017]第一Ni膜的厚度可以为1.0μm以上且10.0μm以下。
[0018]第二Ni膜的厚度可以为0.5μm以上且10.0μm以下。
[0019]底膜可以包含Cu作为主成分。
[0020]底膜的厚度可以为2μm以上且50μm以下。
[0021]表层膜可以包含Sn为作主成分。
[0022]表层膜的厚度可以为3μm以上且10μm以下。
[0023]在本专利技术的另一个方面，提供一种制造层叠陶瓷电子部件的方法，该方法包括：制备陶瓷体，陶瓷体具有在第一轴方向上层叠的多个内部电极和垂直于与第一轴正交的第二轴的端面，多个内部电极交替地引出到端面；在每个端面上形成底膜，使底膜与引出至对应端面的多个内部电极连接；通过电解镀覆在底膜上形成第一Ni膜；在第一Ni膜上形成金属膜，金属膜包含离子化倾向低于Ni的离子化倾向的金属作为主成分，通过电解镀覆在金属膜上形成第二Ni膜；以及在第二Ni膜上形成表层膜；其中，在形成第二Ni膜之前，在弱氧化性气氛或还原性气氛中，在温度等于或高于第一Ni膜再结晶的温度的条件下，对其上形成有金属膜的陶瓷体进行热处理。
[0024]具体地，热处理温度可以为450℃以上且800℃以下。
[0025]在本专利技术的另一个方面，提供一种电路板，包括：安装基板；层叠陶瓷电子部件，其包括：陶瓷体，其具有在第一轴方向上层叠的多个内部电极和垂直于与第一轴正交的第二轴的端面，多个内部电极交替地引出到端面，以及外部电极，其分别覆盖陶瓷体的端面；以及焊料，其将外部电极连接至安装基板，其中，每个外部电极包括：底膜，其形成于端面中的对应端面上并与引出至对应端面的多个内部电极连接；第一Ni膜，其形成于底膜上；金属膜，其形成于第一Ni膜上并且包含离子化倾向低于Ni的离子化倾向的金属作为主成分；第二Ni膜，其形成于金属膜上，并且第二Ni膜的氢浓度高于第一Ni膜的氢浓度；以及表层膜，其形成于第二Ni膜上。
附图说明
[0026]图1是示意性地示出的根据实施方式的层叠陶瓷电容器的立体图；
[0027]图2是沿图1中A
‑
A
’
线截取的层叠陶瓷电容器的截面图；
[0028]图3是沿图1中B
‑
B
’
线截取的层叠陶瓷电容器的截面图；
[0029]图4是示意性地示出其上安装有层叠陶瓷电容器的电路板的截面图；
[0030]图5是示出制造层叠陶瓷电容器的方法的流程图；和
[0031]图6是示出层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。
具体实施方式
[0032]在下文中，将参考附图对实施方式进行说明。在附图中，适当地示出了彼此正交的X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴和Z轴在所有附图中是通用的。
[0033]层叠陶瓷电容器10的构造
[0034]图1至图3示出根据实施方式的层叠陶瓷电容器10。图1是层叠陶瓷电容器10的立体图。图2是沿图1中A
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A
’
线截取的层叠陶瓷电容器10的截面图。图3是沿图1中B
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B
’
线截取的层叠陶瓷电容器10的截面图。
[0035]层叠陶瓷电容器10包括陶瓷体11、第一外部电极14和第二外部电极15。陶瓷体1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种层叠陶瓷电子部件，包括：陶瓷体，其具有在第一轴方向上层叠的多个内部电极和垂直于与所述第一轴正交的第二轴的端面，所述多个内部电极交替地引出到所述端面；以及外部电极，其分别覆盖所述陶瓷体的端面，其中，每个外部电极包括：底膜，其形成于所述端面中的对应端面上并与引出至所述对应端面的多个内部电极连接，第一Ni膜，其形成于所述底膜上，金属膜，其形成于所述第一Ni膜上并且包含离子化倾向低于Ni的离子化倾向的金属作为主成分，第二Ni膜，其形成于所述金属膜上，并且所述第二Ni膜的氢浓度高于所述第一Ni膜的氢浓度，以及表层膜，其形成于所述第二Ni膜上。2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述金属膜包含Pd、Pt、Au、Ag、Cu和Sn中的至少一种作为主成分。3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件，其中，每个外部电极还包括反应层，所述反应层形成于所述第一Ni膜与所述金属膜之间，并且包含Ni和所述金属膜中所包含的作为主成分的金属。4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述金属膜的厚度为0.1μm以上且1.0μm以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述第一Ni膜的厚度为1.0μm以上且10.0μm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述第二Ni膜的厚度为0.5μm以上且10.0μm以下。7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述底膜包含Cu作为主成分。8.根据权利要求1～7中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述底膜的厚度为2μm以上且50μm以下。9.根据权利要求1～8中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述表层膜包含Sn作为主成分。...

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井智纪，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：