提出了层叠陶瓷电子部件、电路板和层叠陶瓷电子部件制造方法。一种层叠陶瓷电子部件，包括陶瓷体、在第二轴线方向上彼此面对的第一和第二外部电极。陶瓷体包括内部电极，并且具有长方体形状，长方体形状具有第一和第二端面以及四个连接面，每个连接面连接第一和第二端面。连接面具有位于第一和第二外部电极之间的凹凸区域。凹凸区域包括沿与第二轴线方向相交的延伸方向形成并沿与深度方向和延伸方向正交的排列方向排列的凹部以及位于凹部之间的凸部。凹部在深度方向上的深度为0.1μm以上且小于2.5μm。凹部沿排列方向的排列节距为1μm以上且80μm以下。以上且80μm以下。以上且80μm以下。
【技术实现步骤摘要】
层叠陶瓷电子部件、电路板和层叠陶瓷电子部件制造方法
[0001]本专利技术涉及层叠陶瓷电子部件、电路板和层叠陶瓷电子部件制造方法。
技术介绍
[0002]层叠陶瓷电子部件(例如层叠陶瓷电容器)包括例如陶瓷体和设置在陶瓷体的各个端部上的第一、第二外部电极。当在陶瓷体中产生泄漏电流时，这些外部电极之间的绝缘电阻降低，并且层叠陶瓷电子部件更容易失效。
[0003]例如，在高温高湿环境中，在层叠陶瓷电子部件的表面上可能会发生结露，从而在陶瓷体的表面上产生泄漏电流。日本专利申请公开号2021
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97078(专利文献1)公开了一种在层叠陶瓷电子部件表面上提供防水剂的技术。
[0004]相关技术文献
[0005]专利文献
[0006]日本专利申请公开号2021
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97078
技术实现思路
[0007]然而，在专利文献1中描述的技术中，当施加防水剂时，需要掩蔽外部电极，并且这种工艺会很复杂，特别是对于小型层叠陶瓷电子部件。因此，需要一种能够通过更简单并且适合于小型层叠陶瓷电子部件的方法来提高层叠陶瓷电子部件的可靠性的技术。
[0008]本专利技术的目的是提供一种能够提高可靠性的层叠陶瓷电子部件、在其上安装有层叠陶瓷电子部件的电路板以及制造层叠陶瓷电子部件的方法。
[0009]在本专利技术的一个方面，提供一种层叠陶瓷电子部件，包括：陶瓷体，陶瓷体包括在第一轴线的方向上层叠的多个内部电极，陶瓷层介于内部电极之间，陶瓷体具有长方体形状，长方体形状具有垂直于与第一轴线的方向正交的第二轴线的第一和第二端面以及四个连接面，每个连接面连接第一和第二端面并沿第二轴线的方向延伸，多个内部电极交替地引出到第一和第二端面；和分别设置在第一和第二端面上并且在第二轴线的方向上彼此相对的第一和第二外部电极，连接面中的至少一个连接面具有位于第一和第二外部电极之间的凹凸区域，凹凸区域包括：多个凹部，其沿与第二轴线相交的延伸方向形成，在与第二轴线和延伸方向正交的深度方向上凹陷，并且沿与深度方向和延伸方向正交的排列方向排列，和设置在多个凹部之间的凸部，每一个凹部在深度方向上的深度为0.1μm以上且小于2.5μm，并且凹部沿排列方向的排列节距为1μm以上且80μm以下。
[0010]在这种构造中，由于多个凹部和凸部沿与第二轴线相交的延伸方向形成，因此可以增加第一和第二外部电极之间沿连接面的距离。结果，能够减少由于迁移引起的漏电流等，并且能够减少层叠陶瓷电子部件的绝缘电阻的降低。此外，当凹部的深度被调节为0.1μm以上且小于2.5μm并且凹部的排列节距被调节为1μm以上且80μm以下时，能够抑制凹凸区域中的诸如开裂和碎裂的缺陷。因此，能够提高层叠陶瓷电子部件的可靠性。
[0011]凹部的排列节距与每个凹部的深度的比率可以是0.41以上且700以下。
[0012]这种构造充分地形成了由于凹部和凸部引起的凹凸/不平坦，并且更可靠地抑制了凹凸区域中的诸如开裂和碎裂的缺陷。
[0013]从相同的角度来看，凹部的排列节距与每个凹部的深度的比率可以是2.5以上且80以下。
[0014]层叠陶瓷电子部件在第一轴线的方向上的尺寸可以是110μm以下。
[0015]这种构造可以使得层叠陶瓷电子部件较薄。
[0016]例如，至少一个连接面中具有凹凸区域的至少一个可以沿第二轴线的方向以及与第一轴线和第二轴线正交的第三轴线的方向延伸。
[0017]例如，至少一个连接面中具有凹凸区域的至少一个可以包括被第一和第二外部电极覆盖的一对电极形成区域以及位于一对电极形成区域之间的中间区域，并且凹凸区域可以仅形成在中间区域中。
[0018]由于在电极形成区域中不形成凹凸区域，因此可以使外部电极平坦化，并抑制安装过程中的问题。
[0019]第一和第二外部电极中的每一个都可以包括导电薄膜和形成在导电薄膜上的镀膜。
[0020]通过使用导电薄膜作为镀膜的基底，能够容易地将外部电极形成得较薄。
[0021]具体而言，导电薄膜的厚度可为1.0μm以下。
[0022]导电薄膜可以由溅射膜形成。
[0023]例如，每个凹部的延伸方向可以是与第二轴线正交的方向。
[0024]替代地，每个凹部的延伸方向可以是与第二轴线以锐角相交的方向。
[0025]例如，凹部和凸部中的每一者的算术平均高度Sa可以为1.0μm以下。
[0026]例如，凹部和凸部中的每一者的最大高度Sz可以是5.0μm以下。
[0027]这些构造能够使凹部和凸部平滑，并且能够更可靠地抑制陶瓷体的开裂和碎裂。
[0028]例如，每个凹部的算术平均高度Sa与凸部的算术均值高度Sa之差的绝对值可以为0.06μm以下。
[0029]例如，每个凹部的最大高度Sz与凸部的最大深度Sz之差的绝对值可以是4.0μm以下。
[0030]在本专利技术的另一方面，提供一种电路板，其包括：层叠陶瓷电子部件；和其上安装有层叠陶瓷电子部件的安装基板，层叠陶瓷电子部件包括：陶瓷体，陶瓷体包括在第一轴线的方向上层叠的多个内部电极，陶瓷层介于内部电极之间，陶瓷体具有长方体形状，长方体形状具有垂直于与第一轴线的方向正交的第二轴线的第一和第二端面以及四个连接面，每个连接面连接第一和第二端面并沿第二轴线的方向延伸，多个内部电极交替地引出到第一和第二端面；和分别设置在第一和第二端面上并且在第二轴线的方向上彼此相对的第一和第二外部电极，，连接面中的至少一个连接面具有位于第一和第二外部电极之间的凹凸区域，凹凸区域包括：多个凹部，其沿与第二轴线相交的延伸方向形成，在与第二轴线和延伸方向正交的深度方向上凹陷，并且沿与深度方向和延伸方向正交的排列方向排列，和设置在多个凹部之间的凸部，每个凹部在深度方向上的深度为0.1μm以上且小于2.5μm，并且，凹部沿排列方向的排列节距为1μm以上且80μm以下。
[0031]在本专利技术的另一方面，提供一种制造层叠陶瓷电子部件的方法，包括：形成未烧制
陶瓷体，未烧制陶瓷体包括在第一轴线的方向上层叠的多个内部电极，陶瓷层介于内部电极之间，并且未烧制陶瓷体具有长方体形状，长方体形状具有垂直于与第一轴线的方向正交的第二轴线的第一和第二端面以及四个连接面，每个连接面连接第一和第二端面并沿第二轴线的方向延伸，多个内部电极交替地引出到第一和第二端面；对未烧制陶瓷体进行烧制以获得烧制陶瓷体；在四个连接面中的至少一个连接面以及烧制陶瓷体的第一和第二端面上形成导电薄膜；以及沿与第二轴线相交的扫描方向用短脉冲激光照射至少一个连接面上的导电薄膜，以除去导电薄膜并在至少一个连接面上沿扫描方向形成凹部。
附图说明
[0032]图1示出根据第一实施方式的层叠陶瓷电容器；
[0033]图2是沿图1中的线A
‑
A
’
截取的层叠陶瓷电容器的截面图；
[0034]图3是沿图1中的线B
‑
B
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种层叠陶瓷电子部件，包括：陶瓷体，所述陶瓷体包括在第一轴线的方向上层叠的多个内部电极，陶瓷层介于所述多个内部电极之间，所述陶瓷体具有长方体形状，所述长方体形状具有垂直于第二轴线的第一端面和第二端面以及均连接所述第一端面和所述第二端面并沿所述第二轴线的方向延伸的四个连接面，所述第二轴线与所述第一轴线的方向正交，所述多个内部电极交替地引出到所述第一端面和所述第二端面；以及第一外部电极和第二外部电极，所述第一外部电极和所述第二外部电极分别设置在所述第一端面和所述第二端面上，并且在所述第二轴线的方向上彼此相对，其中，所述连接面中的至少一个具有位于所述第一外部电极和所述第二外部电极之间的凹凸区域，其中，所述凹凸区域包括：多个凹部，所述多个凹部沿与所述第二轴线相交的延伸方向形成，在与所述第二轴线和所述延伸方向正交的深度方向上凹陷，并且沿与所述深度方向和所述延伸方向正交的排列方向排列，和凸部，所述凸部设置在所述多个凹部之间，其中，每个凹部在所述深度方向上的深度为0.1μm以上且小于2.5μm，并且其中，所述凹部沿所述排列方向的排列节距为1μm以上且80μm以下。2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述凹部的排列节距与每个凹部的深度的比率为0.41以上且700以下。3.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述凹部的排列节距与每个凹部的深度的比率为2.5以上且80以下。4.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述层叠陶瓷电子部件在所述第一轴线的方向上的尺寸为110μm以下。5.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，具有所述凹凸区域的至少一个连接面沿所述第二轴线的方向以及与所述第一轴线和所述第二轴线正交的第三轴线的方向延伸。6.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，具有所述凹凸区域的至少一个连接面包括被所述第一外部电极和所述第二外部电极覆盖的一对电极形成区域以及位于所述一对电极形成区域之间的中间区域，并且其中，所述凹凸区域仅形成在所述中间区域中。7.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述第一外部电极和所述第二外部电极均包括导电薄膜和形成在所述导电薄膜上的镀膜。8.根据权利要求7所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述导电薄膜的厚度为1.0μm以下。9.根据权利要求7或8所述的层叠陶瓷电子部件，其中，所述导电薄膜由溅射膜形成。10.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，每个凹部的延伸方向是与所述第二轴线正交的方向。11.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其中，每个凹部的延伸方向是与所述第二轴线以锐角相交的方向。12.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子...
【专利技术属性】
技术研发人员：富泽祐寿，须贺康友，加藤靖也，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：
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