【技术实现步骤摘要】
介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器
[0001]本申请是申请日为2019年10月21日、申请号为201910999590.6的专利技术专利申请“介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器”的分案申请。
[0002]本公开涉及一种能够改善可靠性的介电陶瓷组合物和包括该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器。
技术介绍
[0003]通常,诸如电容器、电感器、压电器件、变阻器、热敏电阻等的使用陶瓷材料的电子组件可包括利用陶瓷材料形成的陶瓷主体、设置在陶瓷主体中的内电极以及设置在陶瓷主体的表面上并连接到内电极的外电极。
[0004]近来,虽然电子产品已被设计为具有减小的尺寸和多种功能,但芯片组件的尺寸也已减小并且已在其中实现了各种功能。因此,需要具有减小的尺寸和高电容的多层陶瓷电容器。
[0005]为了同时实现具有减小的尺寸和高电容的多层陶瓷电容器,内部的介电层和电极层的厚度可能需要减小,使得可堆叠增加数量的内部的介电层和电极层。通常,介电层的厚度为大约0.6μm,并且已经不断开发出进一步减小介电层的厚度的技术。
[0006]在这种情况下,确保介电层的可靠性是介电材料的主要问题。此外,随着介电材料的绝缘电阻劣化的缺陷增加,在管理产品质量和良率方面存在困难。
[0007]为了解决上述问题,已有必要确保与多层陶瓷电容器的结构方面和介电材料的组分方面有关的高可靠性。
[0008]如果确保可进一步改善电流水平下的可靠性的介电组合物,则多层陶瓷电容器的尺寸可比以前进一步减小。
专利技术内 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种介电陶瓷组合物,包括:钛酸钡基基体材料主成分和副成分,其中,所述副成分包括作为稀土元素的三价镧系稀土元素A和铽,其中,所述三价镧系稀土元素A是镝,其中,基于100mol%的所述基体材料主成分的钛的所述三价镧系稀土元素A的含量和铽的含量之和大于或等于0.2mol%且小于或等于1.5mol%,其中,铽的含量与所述三价镧系稀土元素A的含量的摩尔比Tb/A满足0.15≤Tb/A<0.50,并且其中,所述介电陶瓷组合物包括基于100mol%的所述基体材料主成分的大于0.0mol%且小于或等于20.0mol%的第五副成分,所述第五副成分包括包含Ca和Zr之间的至少一种元素的氧化物或碳酸盐。2.一种介电陶瓷组合物,包括:钛酸钡基基体材料主成分和副成分,其中,所述副成分包括作为稀土元素的三价镧系稀土元素A和铽,其中,所述三价镧系稀土元素A是镝,其中,基于100mol%的所述基体材料主成分的钛的所述三价镧系稀土元素A的含量和铽的含量之和大于或等于0.2mol%且小于或等于1.5mol%,其中,铽的含量与所述三价镧系稀土元素A的含量的摩尔比Tb/A满足0.15≤Tb/A<0.50,并且其中,所述介电陶瓷组合物包括基于100mol%的所述基体材料主成分的大于0.0mol%且小于或等于4.0mol%的第六副成分,所述第六副成分包括包含Si和Al之间的至少一种元素的氧化物或者包含Si的玻璃化合物。3.如权利要求1或权利要求2所述的介电陶瓷组合物,其中,所述介电陶瓷组合物还包括基于100mol%的所述基体材料主成分的大于0.0mol%且小于或等于4.0mol%的第一副成分,所述第一副成分包括包含Y、Ho、Er、Ce、Nd、Pm、Eu、Gd、Tm、Yb、Lu和Sm中的至少一种元素的氧化物或碳酸盐。4.如权利要求1或权利要求2所述的介电陶瓷组合物,其中,所述介电陶瓷组合物包括基于100mol%的所述基体材料主成分的0.1mol%至2.0mol%的第二副成分,所述第二副成分包括包含Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种元素的氧化物或碳酸盐。5.如权利要求1或权利要求2所述的介电陶瓷组合物,其中,所述介电陶瓷组合物包括基于100mol%的所述基体材料主成分的大于0.0mol%且小于或等于4.15mol%的第四副成分,所述第四副成分包括包含Ba的氧化物或碳酸盐。6.如权利要求1或权利要求2所述的介电陶瓷组合物,其中,所述介电陶瓷组合物包括基于100mol%的所述基体材料主成分的钛的大于0.0mol%且小于或等于0.5mol%的第三副成分,所述第三副成分包括包含固定价态受主元素Mg的氧化物或碳酸盐。7.如权利要求1或权利要求2所述的介电陶瓷组合物,其中,所述介电陶瓷组合物不包括Mg。8.一种多层陶瓷电容器,包括:陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内
电极设置为彼此相对且所述介电层介于它们之间;以及第一外电极和第二外电极,所述第一外电极电连接到所述第一内电极,所述第二外电极电连接到所述第二内电极,所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外表面上,其中,所述介电层包含介电陶瓷组合物,其中,所述介电陶瓷组合物包含钛酸钡基基体材料主成分和副成分,并且所述副成分包括作为稀土元...
【专利技术属性】
技术研发人员:权亨纯,朴宰成,崔民英,尹基明,金亨旭,咸泰瑛,白承仁,
申请(专利权)人:三星电机株式会社,
类型:发明
国别省市:
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