电子部件制造技术

本发明专利技术的电子部件(1A)包含基板(10)、多层导电性金属材料层(21、22、23)的层叠体(20)、由Au‑Sn合金焊料构成的焊料层(30)。层叠体(20)配置于基材(10)上。焊料层(30)配置于层叠体(20)上。作为构成最外层的导电性金属材料层(23)，层叠体(20)具有由Au构成的表面层。表面层包含供配置焊料层(30)的焊料层配置区域(23a)、及不配置焊料层(30)的焊料层非配置区域(23b)。焊料层配置区域(23a)与焊料层非配置区域(23b)空间性地隔开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子部件。
技术介绍
具备光电二极管、配置于光电二极管的上表面的受光部以外的部位的端子、及配置于端子的凸块的电子部件为已知(例如，参照专利文献1)。在该电子部件，安装IC芯片作为其他电子部件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-307133号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的一方面的目的在于提供一种即便在使用Au-Sn合金焊料安装其他电子部件的情形，也可适当进行该其他电子部件的安装的电子部件。解决问题的技术手段本专利技术的一个形态的电子部件包含基材、配置于基材上的多层导电性金属材料层的层叠体、配置于层叠体上且由Au-Su合金焊料构成的焊料层。作为构成最外层的导电性金属材料层，层叠体具有由Au构成的表面层。表面层包含配置有焊料层的焊料层配置区域、与不配置焊料层的焊料层非配置区域。焊料层配置区域与焊料层非配置区域空间性地隔开。在本形态的电子部件中，构成层叠体的最外层的由Au构成的表面层包含焊料层配置区域与焊料层非配置区域，焊料层配置区域与焊料层非配置区域空间性地隔开。在上述一个形态的电子部件安装其他电子部件时，配置于层叠体上的焊料层(Au-Sn合金焊料)熔融。熔融的Au-Sn合金焊料自焊料层配置区域流出至焊料层非配置区域的情形被抑制。因焊料层与表面层的受热历程，而有表面层的Au扩散至焊料层，使Au-Sn合金焊料的组成发生变化的情况。在Au-Sn合金焊料的组成发生变化时，有Au-Sn合金焊料的熔点产生差异、或其他电子部件的接合状态变得不均一的担忧。如上所述，因焊料层配置区域与焊料层非配置区域系空间性地隔开，故即便表面层的Au扩散至焊料层时，焊料层非配置区域的Au也不会扩散至焊料层。因来自表面层的Au的扩散量受抑制，故Au-Sn合金焊料的组成变化受抑制。由上述，根据本形态，即便使用Au-Sn合金焊料安装其他电子部件时，也可适当进行该其他电子部件的安装。焊料层配置区域也可以被焊料层非配置区域包围的方式位于焊料层非配置区域的内侧，且于其全周与焊料层非配置区域空间性地隔开。该情形时，可进一步确实地抑制熔融的Au-Sn合金焊料自焊料层配置区域流出至焊料层非配置区域。因来自焊料层配置区域的Au的扩散量进一步被抑制，故可确实地抑制Au-Sn合金焊料的组成变化。焊料层配置区域与焊料层非配置区域也可通过形成于表面层的狭缝而空间性地隔开。该情形时，可简易实现焊料层配置区域与焊料层非配置区域空间性地隔开的结构。焊料层也可经由由Pt构成的障壁层而配置于层叠体上。该情形时，因防止来自焊料层配置区域的Au的扩散，故可进一步确实地抑制Au-Sn合金焊料的组成变化。[专利技术的效果]根据本专利技术的上述一形态，可提供即便在使用Au-Sn合金焊料安装其他电子部件的情形时，也可适当进行该其他电子部件的安装的电子部件。附图说明图1为显示一实施方式的电子部件的俯视图。图2为用以说明沿图1所示的II-II线的剖面结构的图。图3为用以说明本实施方式的变形例的电子部件的剖面结构的图。图4为用以说明形成焊料层的过程的图。图5为用以说明焊料层配置区域与焊料层非配置区域未空间性地隔开的电子部件的剖面结构的图。图6为显示本实施方式的其他变形例的电子部件的俯视图。图7为用以说明本实施方式的其他变形例的电子部件的剖面结构的图。图8为显示本实施方式的其他变形例的电子部件的俯视图。具体实施方式在下文中，一面参照附图一面详细说明本专利技术的实施方式。另外，在说明中，对相同要件或具有相同功能的要件使用相同符号，且省略重复说明。参照图1及图2，说明本实施方式的电子部件1A的结构。图1为本实施方式的电子部件的俯视图。图2为用以说明沿图1所示的II-II线的剖面结构的图。电子部件1A包含基材10、层叠体20、及焊料层30。电子部件1A例如作为安装有其他电子部件3的子安装基板而发挥功能。其他电子部件3为例如激光二极管等。所谓安装，不仅包含电性且物理性连接，也包含仅物理性连接的情形。基材10包含半导体基板11。半导体基板11具有彼此相对向的一对主表面11a、11b、与侧面11c的第1导电型(例如N型)的硅基板。侧面11c以连结一对主表面11a、11b间的方式在一对主表面11a、11b的相对方向延伸。在本实施方式中，如图1所示，半导体基板11在俯视时呈矩形形状，且具有四个侧面11c。半导体基板11具有位于主表面11a侧的第二导电型(例如P型)的第1半导体区域13。第一半导体区域13为添加有第二导电型的杂质(硼等)的区域。第一半导体区域13的杂质浓度高于半导体基板11。第一半导体区域13为例如通过利用离子注入法或扩散法，将第二导电型的杂质自主表面11a侧添加至半导体基板11而形成。在基材10中，以半导体基板11与第一半导体区域13形成PN结。即，基材10为其主表面11a为光入射面的表面入射型光电二极管。第一半导体区域13与半导体基板11构成光感应区域。在将作为其他电子部件3的激光二极管安装于电子部件1A的情形时，上述光电二极管监控激光二极管的输出。基材10包含钝化膜15。钝化膜15配置于半导体基板11的主表面11a上。在钝化膜15，在与第一半导体区域13对应的位置形成有开口15a。在第一半导体区域13(光感应区域)，通过形成于钝化膜15的开口15a而入射光。钝化膜15例如由SiN构成。钝化膜15例如由CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)法而形成。在本实施方式中，省略了连接于上述光电二极管的阴极电极(焊垫)及阳极电极(焊垫)的图示。层叠体20配置于基材10(钝化膜15)上。详细而言，层叠体20配置于钝化膜15中未形成开口15a的区域上。层叠体20由多层导电性金属材料层构成。在本实施方式中，层叠体20包含三层的导电性金属材料层21、22、23。各导电性金属材料层21、22、23为由导电性金属材料构成的层。三层的导电性金属材料层21、22、23为自基材10侧按导电性金属材料层21、导电性金属材料层22、导电性金属材料层23的顺序层叠而成。各导电性金属材料层21、22、23为例如通过真空蒸镀法或溅镀法而形成。导电性金属材料层21构成与基材10(钝化膜15)的接触层。导电性金属材料层21提高与基材10(钝化膜15)的密接性。导电性金属材料层21例如由Ti构成。导电性金属材料层21的厚度例如为0.1～0.2μm。导电性金属材料层21除Ti以外，也可由Cr等构成。导电性金属材料层22构成中间障壁层。导电性金属材料层22防止来自其他导电性金属材料层21、23的金属材料(金属原子)扩散。导电性金属材料层22例如由Pt构成。导电性金属材料层22的厚度例如为0.2～0.3μm。导电性金属材料层23构成层叠体20的最外层。即，导电性金属材料层23构成表面层。导电性金属材料层23例如由Au构成。导电性金属材料层23的厚度例如为0.1～0.5μm。导电性金属材料层23包含配置有焊料层30的焊料层配置区域23a、及不配置焊料层30的焊料层非配置区域23b。焊料层配置区域23a与焊料层非配置区域23b在导电性金属材料层22上空间性地隔开。即，在焊料层配置区域23a与焊料层非配置区域23b空间性地隔开的区域中，露出导电性金属材料层22。在本实施方式中，焊料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件，其特征在于，包含：基材；配置于所述基材上的多层的导电性金属材料层的层叠体；及配置于所述层叠体上的由Au‑Sn合金焊料构成的焊料层，作为构成最外层的所述导电性金属材料层，所述层叠体具有由Au构成的表面层，所述表面层包含配置有所述焊料层的焊料层配置区域、及不配置所述焊料层的焊料层非配置区域，所述焊料层配置区域与所述焊料层非配置区域空间性地隔开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.07 JP 2014-1612401.一种电子部件，其特征在于，包含：基材；配置于所述基材上的多层的导电性金属材料层的层叠体；及配置于所述层叠体上的由Au-Sn合金焊料构成的焊料层，作为构成最外层的所述导电性金属材料层，所述层叠体具有由Au构成的表面层，所述表面层包含配置有所述焊料层的焊料层配置区域、及不配置所述焊料层的焊料层非配置区域，所述焊料层配置区域与所述焊料层非...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井义磨郎，小栗洋，坂本明，田口智也，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP