【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电压调节器的领域,且更具体而言,涉及一种能够在低功耗待机模式和降压模式中操作的电压调节器。
技术介绍
降压调节器是一种开关电压调节器,其将未调节的输入电压转换成较低的经调节的输出电压。电压调节器所消耗的电流可以被分成两部分,即提供给负载的功率和提供给降压调节器本身的功率。在正常操作中,当负载所需的电流处于某个范围内时,调节器可以保持高转换效率,因为提供给负载的功率远高于提供给降压调节器本身的功率。当负载所需的电流较低或甚至为零时,转换效率低得多,因为从电源提供的功率中的大部分被提供给降压调节器本身。出于对当负载所需的电流较低时提高降压调节器的效率的考虑,期望在降压调节器的领域中有进一步的进展。
技术实现思路
提供本概述以引入以下在具体实施方式中进一步描述的概念选择。本概述并非旨在指出所要保护的主题的关键点或必要特征,也不旨在用于辅助限制所要保护的主题的范围。本申请的目的就在于提供一种改进的降压调节器。本文所公开的电子器件包括:线性输出级,被配置成根据输入电压生成至输出节点的输出电压;降压输出级,被配置成根据输入电压生成至输出节点的输出电压。控制电路被配置成:如果负载用于将所述输出电压维持在期望电平处所需的电流小于限制电流,则启用所述线性输出级且禁用所述降压输出级;以及如果负载用于将输出电压维持在期望电平处所需的电流大于限制电流,则启用所述降压输出级且在启用所述降压输出级之后的延迟时间段处禁用所述线性输出级。本文还公开了一种电子器件包括:误差放大器,被配置成根据参考电压和来自反馈节点的反馈电压来生成误差节点上的误差电压;以及线性输出级,被 ...
【技术保护点】
一种电子器件,其特征在于,包括:线性输出级,被配置成根据输入电压生成至输出节点的输出电压;降压输出级,被配置成根据所述输入电压生成至所述输出节点的所述输出电压;以及控制电路,被配置成:如果负载用于将所述输出电压维持在期望电平处所需的电流小于限制电流,则启用所述线性输出级且禁用所述降压输出级;如果所述负载用于将所述输出电压维持在所述期望电平处所需的所述电流大于所述限制电流,则启用所述降压输出级并且在启用所述降压输出级之后的延迟时间段处禁用所述线性输出级。
【技术特征摘要】
1.一种电子器件,其特征在于,包括:线性输出级,被配置成根据输入电压生成至输出节点的输出电压;降压输出级,被配置成根据所述输入电压生成至所述输出节点的所述输出电压;以及控制电路,被配置成:如果负载用于将所述输出电压维持在期望电平处所需的电流小于限制电流,则启用所述线性输出级且禁用所述降压输出级;如果所述负载用于将所述输出电压维持在所述期望电平处所需的所述电流大于所述限制电流,则启用所述降压输出级并且在启用所述降压输出级之后的延迟时间段处禁用所述线性输出级。2.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于,如果根据所述输出电压生成的误差电压在至少阈值时间段内小于阈值电压,则所述控制电路启用所述线性输出级且禁用所述降压输出级。3.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于,如果根据所述输出电压生成的误差电压不小于阈值电压,则所述控制电路禁用所述线性输出级且启用所述降压输出级。4.一种电子器件,其特征在于,包括:误差放大器,被配置成根据参考电压和来自反馈节点的反馈电压来生成误差节点上的误差电压;线性输出级,被配置成按照使得流过输出节点的输出电流不大于限制电流的方式,根据来自输入节点的输入电压来生成至所述输出节点的输出电压;降压输出级,被配置成按照使得流过所述输出节点的所述输出电流大于所述限制电流的方式,根据所述输入电压来生成至所述输出节点的所述输出电压;反馈回路,将所述输出节点耦合到所述反馈节点;以及控制电路,被配置成:根据所述误差电压来选择性启用和禁用所述线性输出级和所述降压输出级,所述降压输出级的选择性启用在所述线性输出级的选择性禁用之前的延迟时间段处出现。5.如权利要求4所述的电子器件,其特征在于,如果所述误差电压在至少阈值时间段内小于阈值电压,则所述控制电路启用所述线性输出级且禁用所述降压输出级。6.如权利要求4所述的电子器件,其特征在于,如果所述误差电压不小于阈值电压,则所述控制电路禁用所述线性输出级且启用所述降压输出级。7.如权利要求4所述的电子器件,其特征在于,所述线性输出级包括:限制电流生成器,被配置成生成所述限制电流;电流镜,具有耦合到第一节点的输入和耦合到所述输出节点的输出;以及第三晶体管和第四晶体管,源极和漏极连接在所述第一节点和所述限制电流生成器之间,所述第三晶体管根据所述误差电压来控制,所述第四晶体管通过所述控制电路来控制。8.如权利要求7所述的电子器件,其特征在于,所述电流镜包括:晶体管,具有耦合到所述输入节点的第一导电端子、耦合到所述第一节点的第二导电端子以及控制端子;第一晶体管,具有耦合到所述输入节点的第一导电端子、耦合到所述输出节点的第二导电端子以及耦合到所述晶体管的控制端子的控制端子。9.如权利要求4所述的电子器...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔正昊,
申请(专利权)人:世意法北京半导体研发有限责任公司,
类型:新型
国别省市:北京;11
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