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非易失性存储元件、其制造方法、非易失性存储装置和非易失性存储元件的设计支援方法制造方法及图纸
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文档序号:8983472
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本发明的非易失性存储元件,包括夹在下部电极(105)和上部电极(107)之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层(116)。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)的至少2层构...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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