非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储元件技术

包括：在基板上形成第1导电膜（105’）的工序（c）；在第1导电膜（105’）上，形成第1金属氧化物层（106x”）、缺氧度与第1金属氧化物层不同的第2金属氧化物层（106y”）、以及第2导电膜（107’）的工序（d、e）；通过对第2导电膜（107’）进行构图来形成第2电极（107）的工序（f）；通过对第1金属氧化物层（106x”）和第2金属氧化物层（106y”）进行构图来形成电阻变化层（106）的工序（g）；将电阻变化层（106）的侧部蚀刻至在与基板的主面平行的面内比第2电极（107）的轮廓更向内侧进入的位置的工序（h）；以及在将电阻变化层（106）的侧部除去的工序之后，或者在与该工序的同一工序中，通过对第1导电膜（105’）进行构图来形成第1电极（105）的工序（i）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电阻变化型的非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储元件，该非易失性存储元件具有通过施加电脉冲而电阻值变化的电阻变化元件。
技术介绍
近年来，随着数字技术的进步，便携式信息设备以及信息家电等电子设备的功能进一步提高。随着这些电子设备的高功能化，使用的半导体元件的微细化以及高速化急速进展。其中，以闪存器为代表的大容量的非易失性存储器的用途迅速扩大。进而，作为取代该闪存器的下一代新型非易失性存储器，开展了使用电阻变化元件的电阻变化型存储器(ReRAM:Resistive Random Access Memory)的研究开发。在此，所谓电阻变化元件指的是以下元件，该元件具有通过电信号而电阻值可逆地变化的性质，进而能够非易失性地存储与该电阻值对应的信息。该电阻变化型存储器将电阻值变化的电阻变化层用作存储元件，通过对该电阻变化层施加电脉冲(例如电压脉冲)，使其电阻值从高电阻状态向低电阻状态变化、或者从低电阻状态向高电阻状态变化。由此，电阻变化型存储器进行数据存储。在该情况下，需要明确地区分低电阻状态以及高电阻状态这2个值，并在低电阻状态与高电阻状态之间高速且稳定地变化，而且非易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：村濑英昭，三河巧，川岛良男，姫野敦史，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：