半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括：半导体层，包含被元件隔离槽分离的多个有源区；电容膜，包含覆盖所述元件隔离槽的侧壁的侧壁覆盖部；和电极膜，层压在所述电容膜上；并且所述半导体层、所述电容膜和所述电极膜形成电容器元件。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包含电容器元件的半导体装置。
技术介绍
在半导体装置的示例 中，包含配置在半导体基板上的多个存储单元的半导体装置使用由金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET, Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor)和电容器形成的存储单元。通过驱动MOSFEF在电容器上执行写、擦除和读取信息(电荷)操作。然而，随着储存单元的小型化，电容器面积的减小会降低每个存储单元的电容。进一步，其会导致在读取存储信息操作中出现错误或由于α射线的辐射等导致对存储信息执行非意图性擦除操作。
技术实现思路
本专利技术提供了一种半导体装置的多种实施例，其能在抑制沿半导体层延伸的电容器元件的面积增大的同时，增大电容器元件的电容。根据本专利技术的一个实施例，提供了一种半导体装置，包括半导体层，包含被元件隔离槽分离的多个有源区；电容膜，包含覆盖所述元件隔离槽的侧壁的侧壁覆盖部；和电极膜，层压在所述电容膜上。进一步，在本实施例中，所述半导体层、所述电容膜和所述电极膜形成电容器元件。根据这种结构，半导体层被元件隔离槽分离成为多个有源区，且利用元件隔离槽的侧壁形成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：半导体层，包含被元件隔离槽分离的多个有源区；电容膜，包含覆盖所述元件隔离槽的侧壁的侧壁覆盖部；和电极膜，层压在所述电容膜上，其中，所述半导体层、所述电容膜和所述电极膜形成所述半导体装置的电容器元件。

【技术特征摘要】
2011.07.27 JP 2011-1647161.一种半导体装置，包括 半导体层，包含被元件隔离槽分离的多个有源区； 电容膜，包含覆盖所述元件隔离槽的侧壁的侧壁覆盖部；和 电极膜，层压在所述电容膜上， 其中，所述半导体层、所述电容膜和所述电极膜形成所述半导体装置的电容器元件。2.如权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述电容膜包含覆盖所述有源区的表面的有源区覆盖部。3.如权利要求I所述的半导体装置，进一步包括形成在每个所述有源区中的晶体管元件，所述晶体管元件与所述电容器元件电连接。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，多个存储单元形成在所述半导体层上以组成存储单元阵列，每个存储单元包含所述晶体管元件和所述电容器元件。5.如权利要求I所述的半导体装置，其特征在于，所述元件隔离槽包含锯齿形边缘，且所述侧壁覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中文悟，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：