非易失性存储装置的制造方法、非易失性存储元件、及非易失性存储装置制造方法及图纸

工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层（13）的一部分露出的接触孔的工序；将导电层（13）的露出在上述接触孔中的部分氧化、形成电阻值基于施加的电信号可逆地变化的电阻变化层（14）的工序；以及在上述接触孔中埋入导电材料、在上述接触孔中形成与电阻变化层（14）连接的柱状电极（12）的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过电信号的施加而电阻值可逆地变化的电阻变化型的非易失性存储元件、具备该元件的非易失性存储装置、以及该非易失性存储装置的制造方法。
技术介绍
近年来，随着电气设备中的数字技术的发展，为了保存音乐、图像、信息等的数据，对于大容量且非易失性的存储装置的需求提高。作为对应于这样的需求的I个对策，将因被施加的电脉冲而发生电阻值的变化且一直保持其状态的电阻变化层利用于存储元件的、非易失性存储装置(以下，称为ReRAM)被注目。这是因为，具有如下特征的缘故，即，作为存储元件的结构比较简单、容易实现高密度化、以及与以往的半导体过程容易匹配等。在这样的ReRAM中，需要确定即使将存储元件细微化也能够稳定且高再现性地产生设计的电阻·值的变化的材料、以及其制作过程。这样的材料和制作过程的研究开发非常积极。在ReRAM中，作为能够进行更高密度的集成化的构造，提出了层叠构造的存储装置。在图14中表示有关专利文献1、2、3中记载的以往例的非易失性存储装置的剖视图。该存储装置由将多个导电层1413和多个层间绝缘膜1417交替地层叠而得到的层叠体、相对于层叠体垂直地交叉而形成的圆筒状的电阻变化层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：巍志强，高木刚，饭岛光辉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：