半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的为缩短邻接的两个绝缘栅极部的间隔，使半导体装置微细化。漂移区域配置于半导体基体之上，第一阱区域配置于漂移区域的上部，源极区域配置于第一阱区域的上部。各绝缘栅极部在位于漂移区域和源极区域之间的第一阱区域形成沟道（反转层）。第一主电极以构成单极二极管的方式与在一主表面露出的漂移区域接合，且与第一阱区域及源极区域连接。从漂移区域的一主表面的法线方向观察，多个绝缘栅极部具有相互平行的线状图案。邻接的绝缘栅极部之间沿绝缘栅极部延伸的方向排列有第一主电极与漂移区域的接合的接合部位及第一阱区域。沟道至少形成于漂移区域的一主表面的法线方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备绝缘栅极型晶体管及单极二极管的半导体装置。
技术介绍
作为具备绝缘栅极型晶体管及单极二极管的半导体装置的一例，有(日本)特表2006 - 524432号公报记载的碳化硅 M0SFET。在此，公开有在形成由碳化硅(SiC)构成的DMOSFET (Double Diffused M0SFET)的芯片内配置肖特基势垒二极管(SBD)的半导体装置。SBD具有结型势垒肖特基(JBS)构造，具有比内装于DMOSFET的PN体二极管低的接通电压。但是，如(日本)特表2006 — 524432号公报的第2A图所示，在邻接的两个栅极触点之间沿图示的截面排列肖特基触点与η —漂移层接合的多个接合部位、多个P +碳化硅区域、及两个P—阱区域。因此，为了在邻接的栅极触点之间形成具有JBS构造的肖特基势垒二极管，而在邻接的栅极触点之间需要规定的面积或宽度，因此，难以缩短栅电极的间隔而使半导体装置微细化。
技术实现思路
本专利技术是为了解决目前的课题而专利技术的，其目的在于，缩短邻接的绝缘栅极部的间隔，使半导体装置微细化。用于实现上述目的的本专利技术的特征涉及半导体装置。该半导体装置具备半导体基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山上滋春，林哲也，铃木达广，
申请(专利权)人：日产自动车株式会社，
类型：
国别省市：