放射线检测器及其制造方法技术

通过将石墨基板(11)的表面的凹凸设为1μm~8μm的范围，能够使层叠形成在石墨基板(11)上的半导体层(13)的膜质稳定，提高石墨基板(11)与半导体层(13)的密合性。即使在电子阻挡层(12)介于石墨基板(11)与半导体层(13)之间的情况下，由于电子阻挡层(12)薄，石墨基板(11)的表面的凹凸被转印到电子阻挡层(12)，因此电子阻挡层(12)的表面的凹凸也大致成为该范围，起到与将半导体层(13)直接接触石墨基板(11)而形成的结构大致相同的效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于医疗领域、工业领域以及原子能领域等的。
技术介绍
以往，作为高灵敏度的放射线检测器的材料，研究并开发了各种半导体材料，特别是CdTe (碲化镉)、ZnTe (碲化锌)或者CdZnTe (碲锌镉)的结晶体，并将一部分·产品化。由CdTe、ZnTe, CdZnTe形成的半导体层是多晶膜(例如参照专利文献I)。专利文献I :日本特开2001-242256号公报
技术实现思路
_4] 专利技术要解决的问题然而，在具有这种结构的情况下，存在以下问题仅在一部分半导体层上产生了漏电流多的部位、即“泄漏点”，或者层叠形成的半导体层的密合性差，或者形成多孔(bolus)的膜质。本专利技术是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种能够使层叠形成在基板上的半导体层的膜质稳定，提高基板与半导体层的密合性的。_7] 用于解决问题的方案为了解决上述问题，专利技术人专心研究的结果是得出如下见解。S卩，以往对层叠形成半导体层的基板表面的状态不作规定，因此不能根据基板表面的状态获知发生什么样的问题。因此，着眼于基板，通过实验明白了基板表面的凹凸会对半导体层造成影响。具体地说，根据采用石墨基板作为基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉牟田利典，徳田敏，田边晃一，岸原弘之，贝野正知，吉松圣菜，佐藤敏幸，桑原章二，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：
国别省市：