具有稳定供电的电容器的半导体集成电路及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种具有提供稳定电源的电容器的半导体集成电路及其制造方法。在外围电路区域中形成有虚设电容器组，且虚设电容器组包括虚设储存节点接触单元、电介质和虚设平板电极。在外围电路区域中形成有金属氧化物半导体(MOS)电容器，且MOS电容器与虚设电容器组并联连接。虚设电容器组的电容可以大于MOS电容器的电容。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路及其制造方法，具体而言，涉及一种具有提供稳定电源的电容器的半导体集成电路及其制造方法。
技术介绍
高集成、低电压和高速度是评估半导体集成电路性能的关键参数。这样的半导体集成电路需要低电压，还需要具有多电平的电源。如公知的，当供电给半导体集成电路时必 然包含一些噪声。噪声会影响设备的信号传输特性，即引入延迟值。近年来，已引入电容器用于消除电源噪声，例如，将存储电容器(reservoircapacitor)形成在半导体集成电路的外围电路区域中。通过在具有足够电容的外围电路区域的空闲空间内层叠导电层、电介质层、以及导电层来构造用于消除噪声的电容器，以提供稳定的电源。
技术实现思路
根据示例性实施例的一个方面，一种半导体集成电路包括外围电路区域，在所述外围电路区域中形成有虚设电容器组，所述虚设电容器组包括虚设储存节点接触单元、电介质和虚设平板电极。还在所述外围电路区域中形成金属氧化物半导体(MOS)电容器，且金属氧化物半导体(MOS)电容器与所述虚设电容器组并联连接。所述虚设储存节点接触单元和所述虚设平板电极被配置成使得对它们提供不同的电压电平。所述虚设电容器组的电容可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路，包括：虚设电容器组，所述虚设电容器组形成在外围电路区域上，且包括虚设储存节点接触单元、电介质、以及虚设平板电极；以及金属氧化物半导体电容器，所述金属氧化物半导体电容器形成在所述外围电路区域中，且与所述虚设电容器组并联连接，其中，所述虚设电容器组的电容大于所述金属氧化物半导体电容器的电容。

【技术特征摘要】
2011.07.27 KR 10-2011-00744691.一种半导体集成电路，包括 虚设电容器组，所述虚设电容器组形成在外围电路区域上，且包括虚设储存节点接触单元、电介质、以及虚设平板电极；以及 金属氧化物半导体电容器，所述金属氧化物半导体电容器形成在所述外围电路区域中，且与所述虚设电容器组并联连接， 其中，所述虚设电容器组的电容大于所述金属氧化物半导体电容器的电容。2.如权利要求I所述的半导体集成电路，其中，所述虚设电容器组包括并联连接的多个虚设单元电容器。3.如权利要求I所述的半导体集成电路，其中，所述金属氧化物半导体电容器包括 第一电极，所述第一电极与所述虚设储存节点接触单元电连接； 第二电极，所述第二电极与所述虚设平板电极电连接；以及 绝缘层，所述绝缘层夹在所述第一电极与所述第二电极之间。4.如权利要求3所述的半导体集成电路，其中，所述金属氧化物半导体电容器的所述第一电极为有源区，而所述金属氧化物半导体电容器的所述第二电极为栅极。5.如权利要求3所述的半导体集成电路，其中，所述金属氧化物半导体电容器的所述第一电极为栅极，而所述金属氧化物半导体电容器的所述第二电极为有源区。6.如权利要求I所述的半导体集成电路，其中，所述虚设电容器组的所述虚设储存节点接触单元包括第一储存节点接触单元以及与所述第一储存节点接触单元分开布置的第二储存节点接触单元。7.如权利要求6所述的半导体集成电路，其中，所述虚设电容器组包括 第一虚设电容器组，所述第一虚设电容器组包括所述第一储存节点接触单元、所述电介质、以及所述虚设平板电极；以及 第二虚设电容器组，所述第二虚设电容器组包括所述第二储存节点接触单元、所述电介质、以及所述虚设平板电极。8.如权利要求6所述的半导体集成电路，其中，所述虚设电容器组包括形成在与所述外围电路区域相邻的、包括多个单元阵列区域的单元区域中的单元电容器。9.如权利要求8所述的半导体集成电路，其中，所述第一虚设电容器组的电容对应于在形成于所述单元区域的所述多个单元阵列区域之中的任何一个单元阵列区域中所形成的单元电容器的总电容。10.一种半导体集成电路,包括 第一虚设电容器组，所述第一虚设电容器组包括第一储存节点接触单元、第一电介质、以及平板电极； 第二虚设电容器组，所述第二虚设电容器组包括所述平板电极、第二电介质、以及第二储存节点接触单元；以及 金属氧化物半导体电容器，所述金属氧化物半导体电容器包括与所述第一储存节点接触单元连接的第一电极、以及与所述第二储存节点接触单元连接的第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宗洙，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：