沟栅场效应晶体管结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种沟栅场效应晶体管结构及其形成方法。一种结构，包括单片集成沟槽FET和肖特基二极管，所述结构进一步包括：外延层，布置在基板上；栅极沟槽，延伸到所述外延层内，所述栅极沟槽具有布置其内的凹入式栅极以及布置在所述凹入式栅极上的电介质材料；源极区，位于所述栅极沟槽的侧面；接触开口，延伸到所述外延层中；以及导体层，布置在所述接触开口中并且电接触所述源极区和所述外延层，所述导体层与所述外延层形成肖特基接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及功率半导体技术，并且尤其是涉及积累型和增强型沟栅(trenched-gate)场效应晶体管(FET)及其制造方法。
技术介绍
功率电子应用中的关键部件是固态开关。从汽车应用中的点火控制到电池驱动的电子消费品、再到工业应用中的功率转换器，都需要一种最佳地适合具体应用要求的电源开关。固态开关，例如包括功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率M0SFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和各种类型的半导体闸流管，已经持续发展以满足这种要求。在功率MOSFET的情况下，已经开发出很多技术，其中包括例如，具有横向沟道(channel)的双扩散结构(DMOS)(例如，Blanchard等人的美国专利第4，682，405号)、沟栅结构(例如，Mo等人的美国专利第6，429，481号)以及用于晶体管漂移区的电荷平衡的各种技术(例如，Temple的美国专利第4，941，026号；Chen的美国专利第5，216，275号；以及Neilson的美国专利第6，081，009号)，以满足不同的并且经常是有竞争性的性能要求。电源开关的一些规定的性能特性是它的导通电阻(on-resistance)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构，包括单片集成沟槽FET和肖特基二极管，所述结构进一步包括：外延层，布置在基板上；栅极沟槽，延伸到所述外延层内并终止于此，所述栅极沟槽具有布置在其内的凹入式栅极以及布置在所述凹入式栅极上的电介质材料；源极区，位于所述栅极沟槽的侧面；接触开口，延伸到所述外延层中；以及导体层，布置在所述接触开口中并且电接触所述源极区和所述外延层，所述导体层与所述外延层形成肖特基接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯多佛·博古斯洛·科库，史蒂文·P·萨普，保尔·托鲁普，帝恩·E·普罗布斯特，罗伯特·赫里克，贝姬·洛斯伊，哈姆扎·耶尔马兹，克里斯托弗·劳伦斯·雷克塞尔，丹尼尔·卡拉菲特，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
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