基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器制造技术

本发明专利技术属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器，用以克服现有石墨烯晶体管太赫兹调制器的调制深度低及只能实现开关两个状态的缺陷；本发明专利技术太赫兹调制器采用上下对称结构，包括衬底，衬底上、下表面对称设置的石墨烯薄膜、离子胶、源电极、漏电极、栅电极，其中，所述石墨烯薄膜设置于衬底表面，所述源电极、离子胶、漏电极设置于石墨烯薄膜表面，所述栅电极设置于离子胶表面。本发明专利技术两个柔性石墨烯场效应晶体管分别设置于同一柔性衬底的两侧，能够大幅提升器件调制深度至37％以上；同时，通过级联控制能够实现对太赫兹波幅度的4级调制。

Multi stage terahertz modulator based on flexible graphene field effect transistor structure

The invention belongs to the technical field of application of THz wave, THz modulator provides a multistage flexible graphene field-effect transistors based on the structure, in order to overcome the existing modulation depth of graphene transistors and low terahertz modulator can only achieve defect of two state switch; the invention of terahertz modulator with symmetrical structure, upper and lower surface comprises a substrate, symmetry set on a substrate, graphene film, adhesive, ion source electrode, a drain electrode, a gate electrode, wherein the graphene film is arranged on the surface of the substrate, the source electrode and drain electrode is arranged on the ionic glue, graphene film surface, the gate electrode is arranged on the surface of ionic gum. On both sides of the two flexible graphene field-effect transistors are respectively arranged on the same substrate, these devices can significantly enhance the modulation depth to 37%; at the same time, through the cascade control can be achieved on the terahertz wave amplitude of 4 stage modulation.

【技术实现步骤摘要】
基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器
本专利技术属于太赫兹波应用
，涉及太赫兹调制器件，具体为一种基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器。
技术介绍
太赫兹波(terahertzwave)是指频率为0.1～10THz、波长为30μm～3mm范围内的电磁波，其波段位于微波和红外波之间，具有独特的电磁特性，在电磁波谱中占据着重要位置。太赫兹波在生物医学诊断、无线通信、雷达成像、电子对抗、国土安全和环境监测等领域具有非常重要的应用，对国民经济以及国防建设具有重大意义。太赫兹调制器是太赫兹通信系统和雷达成像系统的一个关键核心部件，在过去十年中通过对新材料和新结构的研究已经取得了巨大的发展；这些新材料和结构包括二维电子气、人工超材料、超导材料、相变材料等。在这些研究中，基于石墨烯场效应晶体管的太赫兹波调制器受到了极大的关注；这主要是由于石墨烯晶体管具有高开关频率、极低的损耗和制备柔性器件的技术潜力。石墨烯是一种由碳的同素异形体构成的的二维单原子层薄膜材料，具有独特的能带结构、良好的电学性能、光学性能、机械性能及热稳定性。基于石墨烯研制成功场效应晶体管器件，并成功应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器，其特征在于，所述太赫兹调制器采用上下对称结构，包括衬底，衬底上、下表面对称设置的石墨烯薄膜、离子胶、源电极、漏电极、栅电极，其中，所述石墨烯薄膜设置于衬底表面，所述源电极、离子胶、漏电极设置于石墨烯薄膜表面，所述栅电极设置于离子胶表面。

【技术特征摘要】
1.基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器，其特征在于，所述太赫兹调制器采用上下对称结构，包括衬底，衬底上、下表面对称设置的石墨烯薄膜、离子胶、源电极、漏电极、栅电极，其中，所述石墨烯薄膜设置于衬底表面，所述源电极、离子胶、漏电极设置于石墨烯薄膜表面，所述栅电极设置于离子胶表面。2.按权利要求1所述基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器，其特征在于，所述衬底上、下表面对称设置的石墨烯薄膜采用电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：文岐业，刘洋，何雨莲，刘浩天，陈智，杨青慧，张怀武，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51