多流向元胞集成的LDMOS功率器件制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种LDMOS功率器件，包括：半导体基底；多边形状的LDMOS阳极元胞和多边形状的LDMOS阴极元胞，其中，所述阳极元胞和阴极元胞交错排列于所述半导体基底之中；位于所述阳极元胞和阴极元胞之间的漂移区；将所有LDMOS阳极元胞连接得到的正极，以及将所有LDMOS阴极元胞连接得到的负极。本发明专利技术公开的上述方案，通过在器件的阳极元胞和阴极元胞之间形成多流形式的电流，电流产生的功率耗散分布更加均匀，从而使器件具有更好的散热性能，提高了其可靠性与稳定性。此外，本发明专利技术公开的上述方案，使得采用多边形元胞集成结构的多流向元胞集成LDMOS功率器件具有更高的集成度以及更小的栅电阻Rg。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LDMOS功率器件制作领域，具体而言，本专利技术涉及多流向元胞集成的LDMOS功率器件。
技术介绍
LDMOS(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor,横向双扩散金属氧化物场效应晶体管)最早是1969年由Y. Tarui等人提出，它在保持普通MOSFET优点的基础上，通过横向双扩散技术形成沟道区，并在漏极和沟道之间引入漂移区。LDMOS是一种电压控制器件，由于其输入阻抗高，驱动功率低，因此易与前级电路藕合。此外，LDMOS器件还具备温度特性好的优点。LDMOS器件具有负温度系数，负反馈过大的局部电流不致形成双极型器件那样的二次击穿，安全工作区(SOA)较宽，可以防止热耗散的影响，热稳定性好，工作温度可达200°C。经过几十年来的不断发展，在传统 LDMOS基础上改进而来的RF-LDMOS因其优异的射频性能被广泛应用在军事、无线通信等各个领域中。然而，LDMOS功率器件在工作时，功率的耗散会产生大量的热量，因此器件的散热性能直接影响到整个LDMOS功率器件的工作性能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LDMOS功率器件，其特征在于，包括：半导体基底；多边形状的LDMOS阳极元胞和多边形状的LDMOS阴极元胞，其中，所述阳极元胞和阴极元胞交错排列于所述半导体基底之中；位于所述阳极元胞和阴极元胞之间的漂移区；将所有LDMOS阳极元胞连接得到的正极，以及将所有LDMOS阴极元胞连接得到的负极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜一波，杜寰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：