温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例公开了一种LDMOS功率器件，包括：半导体基底；多边形状的LDMOS阳极元胞和多边形状的LDMOS阴极元胞，其中，所述阳极元胞和阴极元胞交错排列于所述半导体基底之中；位于所述阳极元胞和阴极元胞之间的漂移区；将所有LDMOS阳极元...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。