一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法，主要改善现有同类器件金属互联中存在成本高的问题。其制作过程为：在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上生长介质；在介质层上光刻并刻蚀掉互联开孔区；在金属互联开孔区的电极和未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，并依次淀积Ti界面、Cu导电层和W保护层，剥离后形成Ti/Cu/W三层金属堆栈结构的金属互联层；在金属互联层和介质层上生长钝化层；在钝化层上光刻并刻蚀出引线区域，完成制作。本发明专利技术降低了金属互联的制作成本，可用于制作高频大功率器件。

Metal interconnection structure of radio frequency power semiconductor device and manufacturing method thereof

The invention discloses a metal interconnection structure of a radio frequency power semiconductor device and a manufacturing method thereof, which mainly improves the problems of high cost in the metal interconnection of the existing similar devices. The production process is: in the ready source, gate and drain of the device to be processed on the growth medium; lithography on the dielectric layer and etched interconnection hole area; dielectric layer open electrode hole area and undrilling etching in metal interconnection lithography metal interconnection region, and sequentially deposited Ti interface, Cu a conductive layer and a protective layer of W, after stripping the formation of Ti/Cu/W metal interconnection three layer metal stack structure layer; passivation layer growth in metal interconnect layer and the dielectric layer on the passivation layer; photolithography and etching lead area, complete production. The invention reduces the manufacturing cost of the metal interconnection and can be used for producing high-frequency high-power devices.

【技术实现步骤摘要】
一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法
本专利技术属于射频功率半导体器件制造领域，具体涉及一种射频功率半导体器件的金属互联结构制作方法，可用于制作高频大功率器件。
技术介绍
近年来，无线通信技术在人类生产和生活中有广泛应用，人类社会进入信息化和数字化时代。射频微波技术在无线通信技术中占据重要位置，高频的电磁波如毫米波、微波有更大的信息容量和更好的穿透性，在航天应用上有着低频不可比拟的优势。射频微波技术推动了射频功率半导体器件的发展，从上世纪中旬，硅双极型晶体管开始将功率放大器应用于微波射频系统，到现在的GaAs、GaN高电子迁移率晶体管HEMT，射频功率半导体器件在军用和民用领域有着广阔的应用前景。随着无线通讯、雷达等应用对高频率、大功率的要求不断提高，对射频功率器件的研究具有现实意义。射频功率器件的电极面积比较小，在制作过程中，为了引线或测试需要，会在电极上制作金属互联。金属互联结构对器件性能有直接影响，互联金属的电阻影响着电极的导电性，进而影响器件的微波特性，互联金属的稳定性决定了器件长期工作的可靠性。当前，射频功率半导体器件主要采用Ti/Au互联结构，Ti粘附性好，Au本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频功率半导体器件的金属互联结构，是在半导体基片(1)上设置电极(2)，电极(2)的中间设有金属互联层(4)，半导体基片(1)之上及电极(2)和金属互联层(4)以外的区域设有介质层(3)，介质层(3)之上和金属互联层(4)的边缘及侧壁设有钝化层(5)，其特征在于：金属互联层(4)，采用由Ti界面层(41)、Cu导电层(42)和W保护层(43)组成的叠层结构。

【技术特征摘要】
1.一种射频功率半导体器件的金属互联结构，是在半导体基片(1)上设置电极(2)，电极(2)的中间设有金属互联层(4)，半导体基片(1)之上及电极(2)和金属互联层(4)以外的区域设有介质层(3)，介质层(3)之上和金属互联层(4)的边缘及侧壁设有钝化层(5)，其特征在于：金属互联层(4)，采用由Ti界面层(41)、Cu导电层(42)和W保护层(43)组成的叠层结构。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于Ti界面层(41)的厚度为10nm～20nm。3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于Cu导电层(42)的厚度为100nm～200nm。4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于W保护层(43)的厚度为10nm～30nm。5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于介质层(3)采用SiN或SiO2介质层，其厚度为200nm～300nm。6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于钝化层(5)采用SiN或SiO2钝化层，其厚度为100nm～200nm。7.一种射频功率半导体器件的金属互联结构的制作方法，包括如下步骤：1)在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上，利用等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺生长200～300nm的SiN或SiO2介质层；2)在介质层上光刻金属互联开孔区，并利用感应耦合等...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓华，郝跃，李晓彤，祝杰杰，杨凌，郑雪峰，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61