使用穿透硅通道的半导体封装方法技术

一种微电子单元可包括半导体元件，所述半导体元件具有前表面、靠近前表面的微电子半导体器件、位于前表面的接触部和远离前表面的后表面。半导体元件可具有从后表面延伸穿过半导体元件并且穿过接触部的通孔。介电层可铺衬于通孔。导电层可层叠于通孔中的介电层上。导电层可将接触部与单元接触部导电互连。

【技术实现步骤摘要】
使用穿透硅通道的半导体封装方法本申请是申请日为2008年7月31日、申请号为200880106618.9、专利技术名称为“使用穿透硅通道的半导体封装方法”的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求2007年7月31日提交的美国临时专利申请No.60/962,752的申请日的权益，该申请的公开内容以引用方式并入本申请。
技术介绍
微电子器件通常包括薄板式半导体材料，例如硅或砷化镓，通常称作晶粒或半导体芯片。在晶粒的一个面上制作出有源电路。为了便于电连接至有源电路，晶粒在同一面上设有结合垫。结合垫典型地布置成规则阵列，该阵列或者围绕着晶粒边缘，或者如在许多存储器件中那样布置在晶粒中心。结合垫通常由导电金属制成，例如金或铝，厚度为大约0.5μm。结合垫的尺寸基于器件的类型而变化，但在一侧测量通常为几十至几百微米。引线结合和倒装贴片互连是用于在晶粒结合垫上形成接触部的两个方案。在引线结合中，晶粒以面向上方的定向附连于基底，并且精细线材通过固态结合方法例如超声焊接或热补偿扩散结合而连接到每个结合垫。在倒装贴片互连中，金属粒被安置在每个结合垫上。然后晶粒被倒置，以使金属粒提供结合垫和基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微电子单元，包括：半导体元件，其具有前表面、与前表面相反的后表面、靠近前表面的微电子半导体器件以及位于前表面的接触部，所述半导体元件具有从所述后表面延伸穿过半导体元件并且穿过接触部的通孔，所述接触部具有背对半导体元件的外表面以及与外表面相反的内表面，所述通孔限定出在接触部中从所述内表面朝向所述外表面延伸的壁表面；单块式介电层，其铺衬于所述通孔的一些部分且至少部分地层叠于所述内表面；以及导电元件，其层叠于位于通孔中的介电层，所述导电元件至少接触所述接触部中的所述壁表面，从而将所述接触部与单元接触部导电互连。

【技术特征摘要】
2007.07.31 US 60/962，7521.一种微电子单元，包括：半导体元件，其具有前表面、与前表面相反的后表面、靠近前表面的微电子半导体器件以及位于前表面的接触部，所述半导体元件具有从所述后表面延伸穿过半导体元件并且穿过接触部的通孔，所述接触部具有背对半导体元件的外表面以及与外表面相反的内表面，所述通孔限定出在接触部中从所述内表面朝向所述外表面延伸的壁表面；单块式介电层，其铺衬于所述通孔的一些部分且至少部分地层叠于所述内表面；以及导电元件，其层叠于位于通孔中的介电层，所述导电元件至少接触所述接触部中的所述壁表面，从而将所述接触部与单元接触部导电互连。2.如权利要求1所述的微电子单元，其中，所述前表面为最外侧前表面，所述后表面为最外侧后表面，半导体元件还包括层叠于所述最外侧后表面的接触部。3.如权利要求2所述的微电子单元，其中，所述通孔是锥形的，所述通孔随着与所述后表面之间距离的增大而缩小。4.如权利要求3所述的微电子单元，其中，所述通孔的壁相对于所述后表面的法线以5度或以上的角度定向。5.如权利要求4所述的微电子单元，其中，所述壁相对于所述后表面的法线以小于或等于40度的角度定向。6.如权利要求1所述的微电子单元，其中，每个通孔的总面积被包围在一个所述接触部的面积内。7.如权利要求1所述的微电子单元，还包括层叠于接触部内表面的介电膜，其中，所述单块式介电层部分地覆盖所述介电膜。8.一种微电...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·哈巴，G·汉普斯通，M·毛尔高丽特，
申请(专利权)人：英闻萨斯有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US