一种硅PIN半导体区域γ辐射监测仪制造技术

本实用新型专利技术涉及辐射监测技术，具体涉及一种硅PIN半导体区域γ辐射监测仪。该监测仪采用硅PIN二极管为探测器，主要由探测装置、现场处理和显示单元组成，探测装置包括设置在壳体内部的硅PIN二极管探测器，硅PIN二极管探测器包括一个用于量程高端测量的低敏二极管以及多个用于量程低端测量的高敏二极管，多个高敏二极管以低敏二极管为中心对称设置在电路板上。具有量程范围大、能量响应好、可靠性高、维修方便等优点。探测装置组合使用不同灵敏度的探测器来扩大量程范围，并通过硬补偿的方式优化探测器的能量响应。现场处理和显示单元采用模块化设计，能够实现基本参数设置、测量数据实时显示、存储和传输、在线测试、声光报警等功能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及辐射监测技术，具体涉及一种硅PIN半导体区域Y辐射监测仪。
技术介绍
目前，用于区域Y辐射监测的设备主要有电离室型、GM计数管型和半导体型探测器。三类探测器各有特点:电离室的线性范围宽，能量响应较好，但性能易受外部环境条件的影响；GM计数管的灵敏度高，工艺简单，价格低廉，环境适应性强，但存在能量响应差、死时间长的缺点；半导体探测器的体积小，时间响应快，而耐辐射能力相对较弱。硅PIN 二极管是电离辐射测量中常用的一种半导体器件。硅PIN 二极管在已掺杂的P型和N型硅半导体材料之间加入一层高阻的本征半导体(I区)，使其具有结电容小、时间响应快、漏电流小、体积小、室温工作、价格低廉等优点。
技术实现思路
本技术的目的在于利用硅PIN 二极管的特点，提供一种以硅PIN 二极管为探测器的区域Y辐射监测仪，使仪器具有更大范围量程、更好的能量响应，以及更高的安全性。本技术的技术方案如下:一种硅PIN半导体区域Y辐射监测仪，包括探测装置，以及与探测装置相连接的现场处理和显示单元，其中，所述的探测装置包括设置在壳体内部的硅PIN 二极管探测器，所述的硅PIN 二极管探测器包括一个用于量程高端测量的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅PIN半导体区域γ辐射监测仪，包括探测装置（1），以及与探测装置（1）相连接的现场处理和显示单元（2），其特征在于：所述的探测装置包括设置在壳体内部的硅PIN二极管探测器，所述的硅PIN二极管探测器包括一个用于量程高端测量的低敏二极管（8），以及多个用于量程低端测量的高敏二极管（9），多个高敏二极管（9）以低敏二极管（8）为中心对称设置在电路板（10）上。

【技术特征摘要】
1.一种硅PIN半导体区域Y辐射监测仪，包括探测装置(I )，以及与探测装置(I)相连接的现场处理和显示单元(2)，其特征在于:所述的探测装置包括设置在壳体内部的硅PIN二极管探测器，所述的硅PIN 二极管探测器包括一个用于量程高端测量的低敏二极管(8)，以及多个用于量程低端测量的高敏二极管(9)，多个高敏二极管(9)以低敏二极管(8)为中心对称设置在电路板(10 )上。2.如权利要求1所述的硅PIN半导体区域Y辐射监测仪，其特征在于:所述的探测装置的壳体为双层组合结构，外层为招壳(12),内层为铜壳(13)。3.如权利要求1或2所述的硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳根，徐园，王希涛，陈法国，刘倍，
申请(专利权)人：中国辐射防护研究院，
类型：实用新型
国别省市：