封装的半导体装置和导电的框结构制造方法及图纸

封装的半导体装置和导电的框结构。一种封装的半导体装置，包括：晶粒附接垫；引线指状部，具有第一引线指状部端、与第一引线指状部端相对的第二引线指状部端及引线指状部顶表面，其中引线指状部顶表面具有于第一平面上的第一顶表面区段及于第二平面上的第二顶表面区段，其中第一平面不同于第二平面；第一引线，与晶粒附接垫间隔开且附接至第一引线指状部端；第二引线，与晶粒附接垫间隔开；半导体装置，具有第一导电的结构及第二导电的结构，其中第二引线指状部端直接附接至第一导电的结构；导电的连接结构，附接至第二引线及第二导电的结构；及封装主体，覆盖导电的连接结构、引线指状部的至少部分、第一引线的至少部分及第二引线的至少部分。

【技术实现步骤摘要】
封装的半导体装置和导电的框结构
本技术是大致有关于电子装置，并且更具体而言是有关于半导体封装以及其结构。
技术介绍
在过去，封装的功率半导体装置是利用各种导电的互连技术来将一功率半导体晶粒电连接至一封装的装置的导电的引线。在例如是离散的绝缘栅极场效晶体管(IGFET)的半导体装置的离散的功率半导体装置中，制造商已经利用导电带(ribbon)以及接合的导线或是导线接合(wirebond)的互连(每一电极包含多个导线接合)，以用于将在功率半导体装置上的载有电流的电极连接至封装的导电的引线。然而，这些类型的互连尚未能够提供在某些较高功率的装置中所需的充足的载有电流的功能。作为一替代的互连结构，制造商已经利用较大尺寸的导电的夹以作为导电带及导线接合的一种替代，以将在功率半导体装置上的载有电流的电极连接至封装的导电的引线。在另一方面，在其中例如是IGFET装置的功率半导体装置是与互补金属氧化物半导体("CMOS")逻辑电路整合在单一芯片上的高度整合的功率半导体设计中，这些设计的接合垫的引线间距以及接合垫开口的尺寸并不与导电的夹相容。例如，整合的功率半导体设计是每一个IGFET都需要多个互连，其使用较紧密的接合垫间距("BPP")以及较紧密的接合垫开口("BPO")，此已经超出过去的夹设计以及夹设置的设备的能力。此外，导电带以及导线接合(包含较大直径的线)因为降低的载有电流的能力以及较高的电阻，而尚未提供用于满足高度整合的功率半导体设计所需要的替代的互连解决方案。于是，所期望的是具有一种解决先前所指出的问题以及其它问题的结构以及形成一封装的半导体装置的方法。所述结构及方法能够在相同的封装的装置中容纳不同类型的导电的互连、轻易地被纳入到制造流程、而且是符合成本效益也是所期望的。
技术实现思路
除了其它特点以外，本说明是包含一种利用一导电的框结构来制造一半导体装置封装的方法，所述导电的框结构是包含一被配置以直接附接至一半导体装置的导电的引线指状部(leadfinger)。所述引线指状部是被配置以在附接至一功率半导体装置或是功率装置部分时，增加载有电流的容量并且改善热效能，其可以与其它较低功率的半导体装置被整合在单一芯片上。在某些实施例中，所述导电的框结构是包含额外的引线，所述额外的引线可以利用例如是导电的导线结构来电耦接至其它较低功率的半导体装置。所述引线指状部是被成形以使得直接的附接至所述半导体装置变得容易。在某些实施例中，所述引线指状部是包括具有一或多个弯曲的一种弯曲的形状。在其它实施例中，所述引线指状部是包括凹陷部分，例如是半蚀刻的部分。所述导电的框结构可包含一或多个具有支撑所述引线指状部以及引线的侧边区段的框组件。所述侧边区段是在制造期间被移除，并且可以进一步包含应力释放的特点及/或对准特点，以强化所述半导体装置封装的可制造性。所述导电的框结构是支持具有较细间距的接合垫以及复杂的电源及逻辑布局配置的半导体装置的组件。本实施例是致能直接的引线指状部附接至一半导体晶粒，而同时提供用于其它类型的互连结构，例如是导线接合的互连。在一实施例中，相较于先前的结构被附接至一底部或第二框的引线，顶端或第一框是被使用于形成具有较厚且较宽的尺寸的特征的引线指状部的互连，其形成最终封装的装置引线的线或是外部的引线轮廓。在本技术的一态样中，一种封装的半导体装置包括：晶粒附接垫；引线指状部，其具有第一引线指状部端、与所述第一引线指状部端相对的第二引线指状部端以及引线指状部顶表面，其中所述引线指状部顶表面具有位于第一平面上的第一顶表面区段以及位于第二平面上的第二顶表面区段，其中所述第一平面是不同于所述第二平面；第一引线，其是和所述晶粒附接垫间隔开并且进一步附接至所述第一引线指状部端；第二引线，其是和所述晶粒附接垫间隔开；半导体装置，其具有第一导电的结构以及第二导电的结构，其中所述第二引线指状部端直接附接至所述第一导电的结构；导电的连接结构，其是附接至所述第二引线以及所述第二导电的结构；以及封装主体，其覆盖所述导电的连接结构、所述引线指状部的至少部分、所述第一引线的至少部分以及所述第二引线的至少部分。前述态样的装置的所述引线指状部包括弯曲的形状并且具有小于约100微米的宽度。前述态样的装置的所述第二引线具有位于第三平面上的第二引线顶表面，所述第三平面是不同于所述第一平面以及所述第二平面。前述态样的装置的所述半导体装置是被配置以具有电耦接至所述第一导电的结构的功率装置部分以及电耦接至所述第二导电的结构的低功率部分。前述态样的装置的所述引线指状部接触所述第一导电的结构，并且接触和所述第一导电的结构间隔开的第三导电的结构。前述态样的装置的所述第一导电的结构包括第一导电柱。前述态样的装置的所述引线指状部包括接近所述第一引线指状部端的第一凹陷部分以及接近所述第二引线指状部端的第二凹陷部分，并且具有小于约100微米的宽度。前述态样的装置的所述第一凹陷部分界定所述第一顶表面区段。前述态样的装置的所述第二引线具有位于第三平面上的第二引线顶表面，所述第三平面是不同于所述第一平面以及所述第二平面。前述态样的装置的所述引线指状部包括共同的引线指状部，其包含：第一引线指状部部分，其具有所述第一引线指状部端以及相邻所述封装的半导体装置的第一侧表面的所述第二引线指状部端；以及第二引线指状部部分，其是从所述第一引线指状部部分延伸至所述封装的半导体装置的第二侧表面。在本技术的另一态样中，一种导电的框结构包括：第一框，其具有第一侧边区段以及从所述第一侧边区段向内延伸的引线指状部，所述引线指状部具有包含第一顶表面区段和第二顶表面区段的引线指状部顶表面，所述第一顶表面区段位于与所述第二顶表面区段不同的平面；以及第二框，其具有第二侧边区段以及从所述第二侧边区段向内延伸的多个引线，其中：第一引线被附接至所述引线指状部的一部分，以及其中第二引线被配置成用以接收与所述第一框分开的导电结构，以及所述第一框和所述第二框被配置成附接在一起。前述态样的结构的所述第二框进一步包括晶粒附接垫。前述态样的结构的所述晶粒附接垫包括配置成用以接收半导体晶粒的凹陷部分。前述态样的结构的所述引线指状部包括弯曲的形状。前述态样的结构的所述引线指状部包括界定所述第二顶表面区段的凹陷部分。前述态样的结构进一步包括：第一对准结构，其设置在所述第一框中；以及第二对准结构，其设置在所述第二框中并且设置成和所述第一对准结构啮合。前述态样的结构的所述第二侧边区段包括凹陷部分；以及所述结构进一步包括设置在所述第一框中的应力释放的结构。在本技术的又一态样中，一种封装的半导体装置包括：晶粒附接垫；引线指状部，其具有第一引线指状部端、与所述第一引线指状部端相对的第二引线指状部端以及引线指状部顶表面，其中所述引线指状部顶表面具有位于第一平面上的第一顶表面区段以及位于第二平面上的第二顶表面区段，其中所述第一平面是不同于所述第二平面；第一引线，其是和所述晶粒附接垫间隔开并且进一步附接至所述第一引线指状部端；第二引线，其是和所述晶粒附接垫间隔开；半导体装置，其具有电耦接至功率装置部分的第一导电的结构以及电耦接至结构低功率部分的第二导电的结构，其中所述第二引线指状部端直接附接至所述第一导电的结构；导电的连接结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装的半导体装置，其特征在于，包括：晶粒附接垫；引线指状部，其具有第一引线指状部端、与所述第一引线指状部端相对的第二引线指状部端以及引线指状部顶表面，其中所述引线指状部顶表面具有位于第一平面上的第一顶表面区段以及位于第二平面上的第二顶表面区段，其中所述第一平面是不同于所述第二平面；第一引线，其是和所述晶粒附接垫间隔开并且进一步附接至所述第一引线指状部端；第二引线，其是和所述晶粒附接垫间隔开；半导体装置，其具有第一导电的结构以及第二导电的结构，其中所述第二引线指状部端直接附接至所述第一导电的结构；导电的连接结构，其是附接至所述第二引线以及所述第二导电的结构；以及封装主体，其覆盖所述导电的连接结构、所述引线指状部的至少部分、所述第一引线的至少部分以及所述第二引线的至少部分。

【技术特征摘要】
2016.04.20 US 15/134,3301.一种封装的半导体装置，其特征在于，包括：晶粒附接垫；引线指状部，其具有第一引线指状部端、与所述第一引线指状部端相对的第二引线指状部端以及引线指状部顶表面，其中所述引线指状部顶表面具有位于第一平面上的第一顶表面区段以及位于第二平面上的第二顶表面区段，其中所述第一平面是不同于所述第二平面；第一引线，其是和所述晶粒附接垫间隔开并且进一步附接至所述第一引线指状部端；第二引线，其是和所述晶粒附接垫间隔开；半导体装置，其具有第一导电的结构以及第二导电的结构，其中所述第二引线指状部端直接附接至所述第一导电的结构；导电的连接结构，其是附接至所述第二引线以及所述第二导电的结构；以及封装主体，其覆盖所述导电的连接结构、所述引线指状部的至少部分、所述第一引线的至少部分以及所述第二引线的至少部分。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述引线指状部包括弯曲的形状并且具有小于100微米的宽度。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二引线具有位于第三平面上的第二引线顶表面，所述第三平面是不同于所述第一平面以及所述第二平面。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述半导体装置是被配置以具有电耦接至所述第一导电的结构的功率装置部分以及电耦接至所述第二导电的结构的低功率部分。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述引线指状部接触所述第一导电的结构，并且接触和所述第一导电的结构间隔开的第三导电的结构。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一导电的结构包括第一导电柱。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述引线指状部包括接近所述第一引线指状部端的第一凹陷部分以及接近所述第二引线指状部端的第二凹陷部分，并且具有小于100微米的宽度。8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一凹陷部分界定所述第一顶表面区段。9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二引线具有位于第三平面上的第二引线顶表面，所述第三平面是不同于所述第一平面以及所述第二平面。10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述引线指状部包括共同的引线指状部，其包含：第一引线指状部部分，其具有所述第一引线指状部端以及相邻所述封装的半导体装置的第一侧表面的所述第二引线指状部端；以及第二引线指状部部分，其是从所述第一引线指状部部分延伸至所述封装的半导体装置的第二侧表面。11.一种导电的框结构，其特征在于，包括：第一框，其具有第一侧边区段以及从所述第一侧边区段向内延伸的引线指状部，所述引线指状部具有包含第一顶表面区段和第二顶表面区段的引线指状部顶表面，所述第一顶表面区段位于与所述第二顶表面区段不同的平面；以及第二框，其具有第二侧边区段以及从所述第二侧边区段向内延伸的多个引线，其中：第一引线被附接至所述引...

【专利技术属性】
技术研发人员：马可艾伦·马翰伦，缇锡芬·范，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国,US