半导体设备中的射频功率传输系统技术方案

本发明专利技术的实施例提供一种设备，该设备提供在处理腔室内的良好ＲＦ均一性。在一个实施例中，该设备包括基板支撑组件、终端及介电绝缘体。基板支撑组件具有中央通道，而中央通道沿着中心轴形成。提供ＲＦ传输线。该ＲＦ传输线具有大致垂直部分以及大致水平部分，其中，终端耦接至ＲＦ传输线的大致水平部分。介电绝缘体环绕ＲＦ传输线的大致水平部分。介电绝缘体具有第一开口，而终端通过第一开口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例一般涉及在半导体基板处理设备及诸如此类中的RF传输系统。
技术介绍
对于更快速及效力更高的集成电路(IC)组件的需求，对IC制造技术引入新的挑 战，包括在基板(例如半导体晶体)上蚀刻次微米特征结构(submicron feature)以使其 具有跨越基板的良好均一性。举例来说，在一些动态随机存取内存的应用中所使用的深沟 渠储存结构需要在半导体基板中蚀刻深的高深宽比沟渠。深硅沟渠蚀刻典型地在反应性离 子蚀刻(RIE)处理中进行。图1描述了传统的处理腔室100，该处理腔室100用于对设置在基板144上的材 料层进行蚀刻，以在材料层中形成特征结构。处理腔室100具有设置在其中的内部容积 106内的基板支撑组件148。基板支撑组件148包括静电吸座166、基底板164以及设施板 (facility plate) 190。基底板164与设施板190通过设置在其间的绝缘材料192而电性 绝缘。或者，在基底板164与设施板190之间界定出间隙或空间以提供电性绝缘。可将介 电绝缘环120附接至设施板190的边缘。静电吸座166与基底板164 —般由陶瓷或相似介 电材料所形成。加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板支撑组件，包括：　　基板支撑组件，包括中央通道，所述中央通道沿着所述基板支撑组件的中心轴形成；　　ＲＦ传输线，包括大致垂直部分以及大致水平部分；　　终端，通过所述基板支撑组件的所述中央通道而耦接至所述ＲＦ传输线的所述大致水平部分；以及　　介电绝缘体，环绕所述ＲＦ传输线的所述大致水平部分，其中，所述介电绝缘体具有第一开口，所述终端设置穿过所述第一开口。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US12/146,1892008年6月25日1.一种基板支撑组件，包括基板支撑组件，包括中央通道，所述中央通道沿着所述基板支撑组件的中心轴形成；RF传输线，包括大致垂直部分以及大致水平部分；终端，通过所述基板支撑组件的所述中央通道而耦接至所述RF传输线的所述大致水 平部分；以及介电绝缘体，环绕所述RF传输线的所述大致水平部分，其中，所述介电绝缘体具有第 一开口，所述终端设置穿过所述第一开口。2.根据权利要求1所述的基板支撑组件，其中，所述RF传输线的所述大致水平部分还 包括传导连接件，包括第一孔洞以及位于相对第二端的第二孔洞，所述终端与所述第一孔 洞紧配。3.根据权利要求2所述的基板支撑组件，其中，所述RF传输线的所述大致垂直部分还 包括传导杆，其与所述第二孔洞紧配。4.根据权利要求1所述的基板支撑组件，其中，所述介电绝缘体还包括第二开口，其与所述第一开口共中心地对准。5.根据权利要求4所述的基板支撑组件，还包括高压功率馈送件，延伸穿过所述介电绝缘体的所述第一开口与所述第二开口，所述功 率馈送件通过所述终端，并与所述终端电性绝缘。6.根据权利要求5所述的基板支撑组件，其中，所述高压功率馈送件延伸穿过所述基 板支撑组件的所述中央通道。7.根据权利要求1所述的基板支撑组件，其中，所述RF传输线还包括RF传导杆；以及传导连接件，耦接至所述RF传导杆，其中，所述介电绝缘体环绕所述传导连接件及所 述RF传导杆。8.根据权利要求7所述的基板支撑组件，其中，所述RF传导杆由金属材料制成，所述金 属材料选自铜、银或金的至少其中一者。9.根据权利要求1所述的基板支撑组件，其中，所述介电绝缘体还包括第一壳以及第二壳，所述第一壳及所述第二壳紧配以环绕所述RF传输线的所述大致 水平部分。10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智刚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US