本发明公开了一种蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法， 它涉及微电子技术领域，主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下 而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-AlGaN 势垒层、有...

本发明公开了一种AlGaN基SiC衬底的紫外LED器件及制作方法，它涉及 到微电子技术领域，主要解决出射光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低 温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源 区、p...

本发明公开了一种钟控异步FIFO存储器。包括：双端口随机静态存储器SRAM、写 字线控制模块、读字线控制模块、标志位模块、满和半满信号产生模块以及空和半空信 号产生模块。读写字线控制模块采用门控时钟触发的寄存器链来选通SRAM的读写字线...

本发明公开了一种SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法，它 涉及微电子技术领域，主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而 上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-AlGaN 势垒层、有...

本发明公开了一种基于SiC衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法， 它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层(2)、高温 AlN成核层(3)、本征AlGaN外延层(4)、n-AlGaN势垒层(5)、有源区(...