功率模块及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种功率模块及其制造方法，此功率模块包括承载基板、内连线层、第一芯片、第二芯片、陶瓷接合板、顶部内连线层以及导线架。内连线层位于承载基板上。第一芯片以及第二芯片位于内连线层上，其中第一芯片、第二芯片与内连线层电连接。陶瓷接合板位于内连线层上且设置于第一芯片与第二芯片之间以使第一芯片与第二芯片隔离开来。顶部内连线层位于陶瓷接合板上且覆盖第一芯片与第二芯片。顶部内连线层与第一芯片以及第二芯片电连接。导线架位于顶部内连线层上且与顶部内连线层电连接。

Power module and manufacturing method thereof

The invention discloses a power module and a manufacturing method thereof, wherein the power module comprises a load carrying substrate, an inner wiring layer, a first chip, a second chip, a ceramic joint board, a top inner connecting wire layer and a lead frame. The interconnect layer is located on the load carrying substrate. The first chip and the second chip are arranged on the inner connecting layer, wherein the first chip and the second chip are electrically connected with the inner connecting layer. The ceramic joint board is positioned on the inner connecting wire layer and is arranged between the first chip and the second chip so as to isolate the first chip from the second chip. The top inner connecting layer is positioned on the ceramic joint board and covers the first chip and the second chip. The top inner connecting layer is electrically connected with the first chip and the second chip. The wire rack is positioned on the upper inner connecting layer and is electrically connected with the upper inner connecting layer.

【技术实现步骤摘要】
功率模块及其制造方法
本专利技术涉及一种功率模块及其制造方法，且特别是涉及一种体积小、散热性佳的功率模块及其制造方法。
技术介绍
近年来，集成电路(IntegratedCircuit,IC)的制作工艺技术发展迅速，使得电子元件的功能大幅提升。伴随着电子元件的处理速度和效能的提升，电子元件运作时的发热量也随之上升。若不能有效将废热排除，电子元件便有可能失效或无法达到最佳的效能。传统的小型功率模块例如整合式智能型功率模块(IntelligentPowerModule,IPM)的架构是以打线与导线架结合模封形式制作，并且是通过直接覆铜(DirectBondCopper,DBC)基板上的裸铜结构进行散热。然而，传统的功率模块仍存在有体积过大以及元件散热性不佳等缺点。因此，如何改善现有功率模块的设计使其薄化并提升其散热能力为目前所欲研究的主题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种功率模块及其制造方法，可用以使功率模块更为细薄化，并同时具有良好的散热能力。为达上述目的，本专利技术所提出的功率模块包括承载基板、内连线层、第一芯片、第二芯片、陶瓷接合板、顶部内连线层以及导线架。内连线层位于承载基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率模块，包括：承载基板；内连线层，位于该承载基板上；第一芯片以及第二芯片，位于该内连线层上，其中该第一芯片与该第二芯片与该内连线层电连接；陶瓷接合板，位于该内连线层上且设置于该第一芯片与该第二芯片之间，以使该第一芯片与该第二芯片隔离开来；顶部内连线层，位于该陶瓷接合板上且覆盖该第一芯片与该第二芯片，该顶部内连线层与该第一芯片以及该第二芯片电连接；导线架，位于该顶部内连线层上且与该顶部内连线层电连接；模封材料层，位于该导线架上。

【技术特征摘要】
2015.12.10 TW 1041414551.一种功率模块，包括：承载基板；内连线层，位于该承载基板上；第一芯片以及第二芯片，位于该内连线层上，其中该第一芯片与该第二芯片与该内连线层电连接；陶瓷接合板，位于该内连线层上且设置于该第一芯片与该第二芯片之间，以使该第一芯片与该第二芯片隔离开来；顶部内连线层，位于该陶瓷接合板上且覆盖该第一芯片与该第二芯片，该顶部内连线层与该第一芯片以及该第二芯片电连接；导线架，位于该顶部内连线层上且与该顶部内连线层电连接；模封材料层，位于该导线架上。2.如权利要求1所述的功率模块，还包括导电结构，贯穿该陶瓷接合板，其中该导电结构分别电连接该内连线层以及该顶部内连线层。3.如权利要求1所述的功率模块，其中：该第一芯片与该陶瓷接合板之间以及该第二芯片与该陶瓷接合板之间分别具有一间隙，且该顶部内连线层包括一绝缘层以及位于该绝缘层内的一导线结构，该绝缘层填入该些间隙内。4.如权利要求1所述的功率模块，其中该内连线层包括绝缘层以及位于该绝缘层内的导线结构，该导线结构自该第一芯片与该第二芯片所在之处延伸至未与该第一芯片以及该第二芯片重叠之处，以使该内连线层作为一重分配层。5.如权利要求1所述的功率模块，还包括：底部内连线层，位于该承载基板上；第一底部芯片以及第二底部芯片，位于该底部内连线层上，其中该第一底部芯片与该第二底部芯片与该底部内连线层电连接；以及底部陶瓷接合板，位于该底部内连线层上且设置于该第一底部芯片与该第二底部芯片之间以使该第一底部芯片与该第二底部芯片隔离开来，其中还包括第一内连线层，位于该底部陶瓷接合板、该第一底部芯片以及该第二底部芯片上。6.如权利要求5所述的功率模块，其中该承载基板为一金属基基板，且该金属基基板包括金属核心层以及绝缘介电层。7.如权利要求5所述的功率模块，还包括导电结构，贯穿该底部陶瓷接合板，其中该导电结构分别电连接该底部内连线层以及该第一内连线层。8.如权利要求5所述的功率模块，其中：该第一底部芯片与该底部陶瓷接合板之间以及该第二底部芯片与该底部陶瓷接合板之间分别具有一间隙，且该第一内连线层包括一绝缘层以及位于该绝缘层内的一导线结构，该绝缘层填入该些间隙内。9.如权利要求1所述的功率模块，还包括一散热金属层，位于该承载基板的一底表面上。10.一种功率模块的制造方法，包括：在一承载基板上形成一内连线层；在该内连线层上设置一第一芯片以及一第二芯片，其中该第一芯片与该第二芯片与该内连线层电连接；在该内连线层上形成一陶瓷接合板，其中该陶瓷接合板设置于该第一芯片与该第二芯片之间以使该第一芯片与该第二芯片隔离开来；在该陶瓷接合板上形成一顶部内连线层，并覆盖该第一芯片与该第二芯片，其中该顶部内连线层与该第一芯片以及该第二芯片电连接；在该顶部内连线层上形成一导线架，该导电架与该顶部内连线层电连接；以及在该导线架上形成一模封材料作为一模封材料层，并对该模封材料进行模封裁切以形成该功率模块。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨书荣，赵玉麟，简恒杰，刘君恺，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71