【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光通信中突发式光模块用背光探测器的结构和主要制作方法，特别涉及一种浅沟栅状背光探测器的芯片结构及其主要制作工艺。
技术介绍
光接入网E-POM和G-PON正向高速、大容量方向发展，目前最高传输速率已达lOGb/s，其中关键光电子器件是高速激光器(LD)、光探测器和LD用的背光探测器。对高速突发式光收发模块来说，有比较苛刻的快速响应和快速关断时间要求。而这种要求满足与否，主要取决于激光器和探测器的性能和相关电路情况。对高速突发式光发射模块来说，通常要采用背光探测器来检测激光器前光信号的快速响应和发射光功率的变化，以期对激光工作状态进行实时调整。但发射端的背光探测器和接收端的光探测器的区别较大，主要体现在发送光信号接收点的位置和光敏面大小不同。具体来说，对接收端的光探测器，它和耦合光纤的位置离得很近，一般仅有2-10微米，光敏面直径在30-50微米，其P-N结电容在O. 3-1. OPf范围，这样RC时间就较小，对光信号的响应速度就比较快；而发射端LD用的背光探测器，与LD背光发射面离得较远，一般在1. 5-2. 5毫米范围，而且，考虑到背光发散角...
【技术保护点】
一种突发式光模块用浅沟栅状背光探测器，其特征在于，其由底部至上部依次包括有n+?InP衬底、高浓度掺杂的n?InP过渡层、中等浓度掺杂的n?InP缓冲层、非故意掺杂的InGaAs光吸收层、扩锌的P?InP覆盖层、P+?InGaAs电接触层及SiO2保护层，该覆盖层与电接触层内形成有浅沟刻蚀区，该浅沟刻蚀区下方位于该光吸收层内形成有氢离子注入高阻区，在该SiO2保护层上设有环状的金属电极，该金属电极包围该浅沟刻蚀区，该金属电极外围设有金属挡光层。
【技术特征摘要】
1.一种突发式光模块用浅沟栅状背光探测器，其特征在于，其由底部至上部依次包括有n+-1nP衬底、高浓度掺杂的n-1nP过渡层、中等浓度掺杂的n_InP缓冲层、非故意掺杂的 InGaAs光吸收层、扩锌的P-1nP覆盖层、P+-1nGaAs电接触层及SiO2保护层，该覆盖层与电接触层内形成有浅沟刻蚀区，该浅沟刻蚀区下方位于该光吸收层内形成有氢离子注入高阻区，在该SiO2保护层上设有环状的金属电极，该金属电极包围该浅沟刻蚀区，该金属电极外围设有金属挡光层。2.如权利要求1所述的突发式光模块用浅沟栅状背光探测器，其特征在于，所述衬底浓度为(1-3) XlO1Vcm3,厚度为250-300微米；所述过渡层浓度为(2_4) X 1017/cm3，厚度为O. 5-0. 8微米；所述缓冲层浓度为(4-6) X IO1Vcm3,厚度为O. 8-1. O微米；所述光吸收层浓度为〈I XlO1Vcm3,厚度为1. 8-2. O微米；所述覆盖层浓度为〈5 X 1015/cm3，厚度为O.35-0. 45微米;所述电接触层浓度为<5X 1015/cm3，厚度为O. 10-0. 12微米。3.如权利要求1所述的突发式光模块用浅沟栅状背光探测器，其特征在于，所述金属挡光层与金属电极之间有一绝缘区隔离，该绝缘区宽度为4. 0-6. O μ m。4.如权利要求1所述的突发式光模块用浅沟栅状背光探测器，其特征在于，所述浅沟刻蚀区的浅沟深度为O. 45-0. 50 μ m，沟宽5. 0-6. Oym,相邻浅沟条间隔为5. 0-6. O μ m，所述氢离子注入高阻区深度为1. 4-1. 6 μ m,所述氢离子注入高阻区的宽度为5. 0-6. O μ m。5.如权利要求1所述的突发式光模块用浅沟栅状背光探测器，其特征在于，所述金属电极由锌金合金构成，厚度为4500-5000埃，金属条宽为10-15μ m，金属焊盘直径为 40-45 μ m ;所述金属挡光层为金锌合金，金属层厚为4000-5000埃，宽度为15-20 μ m。6.一种突发式光模块用浅沟栅状背光探测器的制作方法，其特征在于，该方法包括步骤一、首先制作背光探测器的层次结构，清洗掺S衬底片，利用气相外延、掩膜淀积及光刻腐蚀在掺S衬底上依次外延生长高浓度掺杂的n-1nP过渡层、中等浓度掺杂的n-1nP 缓冲层、非故意掺杂的InG...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁国庆，唐琦，胡长飞，
申请(专利权)人：华工科技产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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