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本发明提供一种突发式光模块用浅沟栅状背光探测器及其制作方法，该背光探测器由底部至上部依次包括有n+-InP衬底、高浓度掺杂的n-InP过渡层、中等浓度掺杂的n-InP缓冲层、非故意掺杂的InGaAs光吸收层、扩锌的P-InP覆盖层、P+-I...
该专利属于华工科技产业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华工科技产业股份有限公司授权不得商用。

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