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本发明公开了一种沟栅场效应晶体管结构及其形成方法。一种结构，包括单片集成沟槽FET和肖特基二极管，所述结构进一步包括：外延层，布置在基板上；栅极沟槽，延伸到所述外延层内，所述栅极沟槽具有布置其内的凹入式栅极以及布置在所述凹入式栅极上的电介质...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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