大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法技术

本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。在示例中，集成电路器件包括：设置在衬底上方的栅结构；设置在衬底中的源区和漏区，其中栅结构介于源区和漏区之间；以及插在栅结构中的至少一个柱状部件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路器件及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速的成长。在IC发展的期间内，当几何 尺寸(即利用制造工艺制作的最小部件(或线))缩小时，功能密度(即，在单位芯片面积内的互连元件数)已普遍地增加。通过提高生产效率并且降低关联成本，这种缩减的工艺普遍地产生了效益。这种按比例缩减还增加了处理和制造IC的复杂性，并且对于这些将要实现的改进，还需要对IC制造做出类似的改进。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供一种集成电路器件，包括设置在衬底上的栅结构；设置在衬底中的源区和漏区，其中所述栅结构介于所述源区和所述漏区之间；以及嵌入在所述栅结构中的至少一个柱状部件。优选地，所述柱状部件的顶部表面与所述栅结构的顶部表面基本在同一平面上。优选地，所述柱状部件包括电介质部件。优选地，所述电介质部件包括层间介电层的一部分、间隔件、以及前述的组合之O优选地，所述电介质部件是氧化物部件。优选地，所述柱状部件的长度沿着与所述栅结构的长度基本垂直的方向延伸，并且所述柱状部件的宽度沿着与所述栅结构的宽度基本垂直的方向延伸。优选地，所述源区和所述漏区之间的所述衬底中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路器件，包括：设置在衬底上的栅结构；设置在衬底中的源区和漏区，其中所述栅结构介于所述源区和所述漏区之间；以及嵌入在所述栅结构中的至少一个柱状部件。

【技术特征摘要】
2011.06.16 US 13/162,4531.一种集成电路器件，包括 设置在衬底上的栅结构； 设置在衬底中的源区和漏区，其中所述栅结构介于所述源区和所述漏区之间；以及 嵌入在所述栅结构中的至少一个柱状部件。2.根据权利要求I所述的集成电路器件，其中所述柱状部件的顶部表面与所述栅结构的顶部表面基本在同一平面上， 其中所述柱状部件包括电介质部件，其中所述电介质部件包括层间介电层的一部分、间隔件、以及前述的组合之一，或者 其中所述电介质部件是氧化物部件。3.根据权利要求I所述的集成电路器件，其中所述柱状部件的长度沿着与所述栅结构的长度基本垂直的方向延伸，并且所述柱状部件的宽度沿着与所述栅结构的宽度基本垂直的方向延伸， 其中所述源区和所述漏区之间的所述衬底中的所述栅结构下方限定了沟道，并且所述柱状部件的长度沿着平行于所述沟道的方向延伸。4.根据权利要求I所述的集成电路器件，其中 所述栅结构包括设置在所述半导体衬底上方的栅介电层，以及设置在所述栅介电层上方的栅电极；以及 所述柱状部件延伸穿过所述栅介电层和所述栅电极， 其中在至少一个掺杂部件下方设置掺杂区。5.一种晶体管，包括 栅堆叠件，所述栅堆叠件设置在半导体衬底上方； 源区和漏区，所述源区和所述漏区设置在所述衬底中，其中所述栅堆叠件介于所述源区和所述漏区之间；以及 电介质部件，所述电介质部件嵌入在所述栅堆叠件中，所述电介质部件的顶部表面与所述栅堆叠件的顶部表面基本在同一平面上。6.根据权利要求5所述的晶体管，其中嵌入在所述栅堆叠件中的所述电介质部件延伸穿过所述栅堆叠件的栅电极和栅介电层，其中所述电介质部件的长度沿着与...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄学理，朱鸣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：