【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2012年03月02日、申请号为201210052965.6、专利技术名称为“非易失性存储器件及其制造方法和操作方法”的中国专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求2011年3月4日提交的韩国专利申请No.10-2011-0019511的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种非易失性存储器件及其制造方法和操作方法。
技术介绍
非易失性存储器件是即使在供电中断的情况下也维持所存储的数据的存储器件。当前，广泛使用诸如NAND型快闪存储器的各种非易失性存储器件。图1是示出现有的非易失性存储器件的电路图。参见图1，现有的非易失性存储器件包括沿着列方向延伸并且彼此平行布置的多个位线BL，以及沿着行方向延伸的源极线SL。位线BL包括交替布置的偶数位线BLe和奇数位线BLo。其中漏极选择晶体管DST、多个存储器晶体管MT和源极选择晶体管SST串联连接的串设置在每个位线BL与源极线SL之间。漏极选择线DSL与漏极选择晶体管DST的栅电极连接且沿着行方向延伸。字线WL与存储器晶体管MT的控制栅电极连接且沿着行方向延伸。源极选择线SSL与源极选择晶体管SST的栅电极连接且沿着行方向延伸。在如上配置的非易失性存储器件中，以每个页为单位来执行数据编程操作和数据读取操作。具体地，分开执行用于对与偶数位线BLe连接的串中的某单元进行编程的偶数页编程操作，以及用于对...
【技术保护点】
一种非易失性存储器件，包括：衬底，所述衬底具有被隔离层限定的有源区，且包括多个第一区域、第二区域以及第三区域，所述多个第一区域沿着一个方向延伸，所述第二区域和所述第三区域交替地设置在所述第一区域之间以与所述第一区域相互连接；源极选择线、字线、第一漏极选择线和第二漏极选择线，所述源极选择线、所述字线、所述第一漏极选择线和所述第二漏极选择线设置在所述衬底之上，并且延伸以越过所述第二区域和所述第三区域之间的所述第一区域；第一接触部和第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部分别设置在所述第二区域和所述第三区域之上；以及第一导线和第二导线，所述第一导线和所述第二导线分别与所述第一接触部和所述第二接触部连接并且彼此平行地延伸，其中，所述第一漏极选择线和所述第二漏极选择线中的每个包括隧道电介质层、浮栅、栅间电介质层和控制栅的层叠结构，且其中，所述第一漏极选择线在与所述第一区域之中的奇数编号的第一区域的交叉处去除了所述栅间电介质层的部分，所述第二漏极选择线在与所述第一区域之中的偶数编号的第一区域的交叉处去除了所述栅间电介质层的部分。
【技术特征摘要】
2011.03.04 KR 10-2011-00195111.一种非易失性存储器件，包括：
衬底，所述衬底具有被隔离层限定的有源区，且包括多个第一区域、第二区域以及
第三区域，所述多个第一区域沿着一个方向延伸，所述第二区域和所述第三区域交替地
设置在所述第一区域之间以与所述第一区域相互连接；
源极选择线、字线、第一漏极选择线和第二漏极选择线，所述源极选择线、所述字
线、所述第一漏极选择线和所述第二漏极选择线设置在所述衬底之上，并且延伸以越过
所述第二区域和所述第三区域之间的所述第一区域；
第一接触部和第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部分别设置在所述第二
区域和所述第三区域之上；以及
第一导线和第二导线，所述第一导线和所述第二导线分别与所述第一接触部和所述
第二接触部连接并且彼此平行地延伸，
其中，所述第一漏极选择线和所述第二漏极选择线中的每个包括隧道电介质层、浮
栅、栅间电介质层和控制栅的层叠结构，且
其中，所述第一漏极选择线在与所述第一区域之中的奇数编号的第一区域的交叉处
去除了所述栅间电介质层的部分，所述第二漏极选择线在与所述第一区域之中的偶数编
号的第一区域的交叉处去除了所述栅间电介质层的部分。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，
其中，所述源极选择线包括隧道电介质层、浮栅、栅间电介质层和控制栅的层叠结
构，且所述栅间电介质层的部分被去除，以及
其中，所述字线中的每个包括隧道电介质层、浮栅、栅间电介质层和控制栅的层叠
结构。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，
其中，所述第二区域被设置在所述源极选择线的一侧，而所述第三区域被设置在所
述漏极选择线的一侧，
其中，在所述第二区域和所述第三区域中分别设置源区和漏区，以及
其中，所述第一导线是位线，而所述第二导线是源极线。
4.一种用于制造非易失性存储器件的方法，包括：
在衬底中形成隔离层以限定有源区，所述有源区包括沿...
【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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