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本发明公开一种非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括：交替地彼此平行布置的位线和源极线；以及交替地布置在位线与源极线之间并且每个包括漏极选择晶体管、存储器晶体管和源极选择晶体管的偶数串和奇数串。漏极选择晶体管包括结构与存储器晶体管相同的...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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