电阻变化元件的制造方法技术

电阻变化元件的制造方法包括：在基板上的层间绝缘膜中形成导电性塞柱的工序(1000~1004)；以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部及跨多个上述导电性塞柱产生的上述层间绝缘膜的凹部除去，并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜上表面突出的方式，使上述层间绝缘膜上表面平坦的工序(1005)；在上述层间绝缘膜及上述导电性塞柱上，形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序(1006)；将上述下部电极层上表面的突出部除去，使上述下部电极层上表面平坦的工序(1007)；在上述下部电极层上形成电阻变化层的工序(1008)；在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序(1008)；及加工形成下部电极、电阻变化层及上部电极的工序(1009)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基于电信号而电阻值可逆地变化的和通过该制造方法制成的电阻变化元件。
技术介绍
近年，将所谓电阻变化元件作为存储元件用于存储单元的非易失性存储装置的研究开发盛行。所谓电阻变化元件是指，具有根据电信号而电阻值可逆地变化的性质，并将与电阻值相对应的信息非易失性地存储的元件。 图14是示意性地表示具有专利文献I中所示的以往的电阻变化元件的存储单元结构的截面图。存储单元900是将选择晶体管906与电阻变化元件910串联连接的、ITlR型(I个晶体管、I个电阻体)存储单元。选择晶体管906由形成在基板901上的源极区域902、漏极区域903以及形成在栅极氧化膜904上的栅电极905构成。此外，电阻变化元件910由电阻变化层908、夹持电阻变化层908的下部电极907以及上部电极909构成。导电性塞柱(plug) 916形成在层间绝缘膜914中，将选择晶体管906的漏极区域903与电阻变化元件910的下部电极907电连接。导电性塞柱917将作为位线起作用的金属布线912与上部电极909电连接。导电性塞柱918将作为源极线起作用的金属布线913与源极区域902电连接。栅电极905与字本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.21 JP 2010-1400811.一种电阻变化元件的制造方法，包括 在基板上形成层间绝缘膜的工序； 在上述层间绝缘膜内形成接触孔的工序； 在上述接触孔内以及上述层间绝缘膜上堆积导电材料的工序； 通过将堆积在上述层间绝缘膜上的上述导电材料除去，由此在上述接触孔内形成导电性塞柱的工序； 以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部、以及跨多个上述导电性塞柱而产生的上述层间绝缘膜的凹部除去，并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜的上表面突出的方式，使上述层间绝缘膜的上表面平坦的工序； 在上述层间绝缘膜以及上述导电性塞柱上，形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序； 将上述下部电极层的上表面的突出部除去，而使上述下部电极层的上表面平坦的工序; 在上述下部电极层上，形成基于电脉冲的施加而电阻值可逆地变化的电阻变化层的工序; 在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序；以及 在由上述下部电极层、上述电阻变化层以及上述上部电极层构成的层叠构造中，残留上述导电性塞柱的附近部分的上述层叠构造，而将其它部分的层叠构造除去的工序。2.如权利要求I记载的电阻变化元件的制造方法，其中， 在使上述层间绝缘膜的上表面平坦的工序中，使用CMP法。3.如权利要求2记载的电阻变化元件的制造方法，其中， 在使上述下部电极层的上表面平坦的工序中，使用CMP法。4.如权利要求I记载的电阻变化元件的制造方法，其中， 在残留上述导电性塞柱的附近部分的上述层叠构造，而将其它部分的层叠构造除去的工序中，使用干式蚀刻法。5.如权利要求I记载的电阻变化元件的制造方法，其中， 上述下部电极层由钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)以及氮化钨(W...

【专利技术属性】
技术研发人员：有田浩二，三河巧，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：