功率半导体器件制造技术

在具备感测焊盘的进行高速转换的功率半导体器件中，由于在进行转换时流过位移电流并与该电流通路的阻抗相互作用，而在感测焊盘下部的阱区产生高电压，有时由于高电压而导致如栅绝缘膜那样的薄的绝缘膜被介质击穿从而破坏功率半导体器件。本发明专利技术的功率半导体器件具备设置在感测焊盘下部的阱区之上、并贯通比栅绝缘膜厚的场绝缘膜来与源极焊盘连接的感测焊盘阱接触孔，因此能够提高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
该专利技术涉及一种碳化硅半导体装置等功率半导体器件。
技术介绍
在功率半导体器件中，已知有如下结构(例如，专利文献I):能够将电流检测用元件配置在同一衬底、并根据过电流检测来切断元件以保护元件。在专利文献I中记载有如下结构在将电流检测元件配置于同一衬底的IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor :绝缘栅双极晶体管)等半导体器件的电流检测元件的电流检测用键合焊盘的下部形成了与基底区相同的P型区。另外，在专利文献2所述的由功率纵型金属-氧化膜-半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor :M0SFET)和二极管构成的功率 半导体器件中，如该文献的图I以及图2所示，在MOSFET的单元区域的周缘部、即与栅极焊盘部相邻接的区域，至少配置有一列二极管。这种二极管的每一个在MOSFET从接通(ON)状态向关断(OFF)状态进行转换时，吸收该文献的图2所示的、在正向偏置时从P阱以及P基底向漏极侧的N型半导体层内注入的空穴。因此，在MOSFET从正向偏置切换为反向偏置时，该文献的上述的结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率半导体器件，其特征在于，具备 第I导电型的半导体衬底； 第I导电型的漂移层，形成于所述半导体衬底的第I主面； 第2导电型的主单元阱区，在所述漂移层的表层的一部分并排多个而形成； 第2导电型的感测单元阱区，在所述漂移层的表层的一部分与所述主单元阱区隔开地并排多个而形成； 第2导电型的感测焊盘阱区，在所述感测单元阱区的周围与所述感测单元阱区以及所述主单元阱区隔开地形成、且面积比所述主单元阱区以及所述感测单元阱区大； 栅绝缘膜，形成于所述感测单元阱区以及所述主单元阱区之上； 场绝缘膜，形成于所述感测焊盘阱区之上、且膜厚比所述栅绝缘膜大； 源极焊盘，经由感测焊盘阱接触孔和源极接触孔而将所述感测焊盘阱区和所述主单元阱区电连接，所述感测焊盘阱接触孔贯通所述场绝缘膜而形成于所述感测焊盘阱区之上，所述源极接触孔贯通所述栅绝缘膜而形成于所述主单元阱区之上； 感测焊盘，经由贯通所述栅绝缘膜而形成于所述感测单元阱区之上的感测源极接触孔而与所述感测单元阱区电连接； 栅电极，经由所述栅绝缘膜而形成于所述主单元阱区以及所述感测单元阱区上； 栅极焊盘，与...

【专利技术属性】
技术研发人员：古川彰彦，香川泰宏，三浦成久，日野史郎，中田修平，大塚健一，渡边昭裕，今泉昌之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：