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在具备感测焊盘的进行高速转换的功率半导体器件中，由于在进行转换时流过位移电流并与该电流通路的阻抗相互作用，而在感测焊盘下部的阱区产生高电压，有时由于高电压而导致如栅绝缘膜那样的薄的绝缘膜被介质击穿从而破坏功率半导体器件。本发明的功率半导体器...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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