非易失性存储装置及其制造方法制造方法及图纸

一种电阻变化稳定且适合于细微化的电阻变化型的非易失性存储装置，具有：第1布线（101），由势垒金属层（101b）和主层（101a）构成，势垒金属层（101b）覆盖形成于第1层间绝缘层（103a）的布线槽的底面和侧面，主层（101a）填充所述布线槽的内部；第1电极（102），由贵金属构成，并覆盖第1布线（101）的上表面；多个存储单元孔（104），形成于第2层间绝缘层（103b）；电阻变化层（105），形成于存储单元孔（104）内，并与第1电极（102）相接；以及覆盖电阻变化层（105）和存储单元孔（104）的第2布线（106），在存储单元孔（104）附近的区域（101A）中，在第1布线（101）的宽度方向的任意截面中，主层（101a）被势垒金属层（101b）及第1电极（102）覆盖。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性存储装置，其具有稳定保持的电阻值通过电压脉冲的施加而变化的电阻变化元件。
技术介绍
近年来，随着数字技术的发展，便携式信息设备和信息家电等电子设备进一步实现了高功能化。伴随这些电子设备的高功能化，所使用的半导体元件的细微化及高速化得到快速发展。其中，诸如以闪存为代表的大容量的非易失性存储器的用途快速扩大。另外，作为替换该闪存的下一代的新型非易失性存储器，正在推进使用电阻变化元件的非易失性存储装置(电阻变化型非易失性存储装置，或者简称为非易失性存储装置)的研发。其中，电阻变化元件是指具有电阻值根据电信号而可逆地变化的性质，并且能够非易失性地存储与该电阻值对应的信息的元件。 作为安装了该电阻变化元件的大容量非易失性存储器的一例，提出了交叉点型的非易失性存储元件。还公开了存储部使用电阻变化膜、开关元件使用二极管元件而构成的元件(例如，参照专利文献I)。图23 Ca)和(b)表示过去的安装了电阻变化元件的非易失性存储装置80。图23(a)是由位线210和字线220、以及在它们的各个交点处形成的存储单元280构成的交叉点存储单元阵列200的立体图。此外，图23 (b)是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三河巧，空田晴之，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：