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非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储元件技术
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文档序号:8737387
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包括:在基板上形成第1导电膜(105’)的工序(c);在第1导电膜(105’)上,形成第1金属氧化物层(106x”)、缺氧度与第1金属氧化物层不同的第2金属氧化物层(106y”)、以及第2导电膜(107’)的工序(d、e);通过对第2导电膜...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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