薄膜晶体管、阵列基板及显示器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示器件。薄膜晶体管、阵列基板包括形成在基板上的栅极、氧化物有源层、源极、漏极、像素电极，其特征在于源漏电极与氧化物有源层之间设置有源漏过渡层，通过在源漏极层与氧化物有源层之间形成一层源漏过渡层，减少了一次构图工艺，节省了一次mask，从而有效地降低了成本。同时增加的源漏过渡层可以阻挡氧化物有源层在刻蚀中被腐蚀，还可以有效地减少薄膜晶体管Vth（阈值电压）漂移、提高Ion（开启电流）/Ioff（关闭电流）、增强热稳定性。本实用新型专利技术技术手段简单，易于实施，具有广泛的应用前景。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，尤其是一种阵列基板及其制造方法、显示器件。
技术介绍
近年来，显示技术得到快速的发展，如薄膜晶体管技术由原来的a-Si (非晶硅)薄膜晶体管发展到现在的LTPS (低温多晶硅)薄膜晶体管、MILC (金属诱导横向晶化)薄膜晶体管、Oxide (氧化物)薄膜晶体管等。而发光技术也由原来的IXD (液晶显示器)、Η)Ρ (等离子显示屏)发展为现在的OLED (有机发光二极管)、AMOLED (主动式矩阵有机发光二极管)等。有机发光显示器是新一代的显示器件，与液晶显示器相比，具有很多优点，如:自发光，响应速度快，宽视角等等，可以用于柔性显示，透明显示，3D (三维立体)显示等。但无论液晶显示还是有机发光显示，都需要为每一个像素配备用于控制该像素的开关一薄膜晶体管，通过驱动电路，可以独立控制每一个像素，而不会对其他像素造成串扰等影响。目前广泛应用的Oxide薄膜晶体管采用氧化物半导体作为有源层，具有迁移率大、开态电流高、开关特性更优、均匀性更好的特点，可以适用于需要快速响应和较大电流的应用， 如高频、高分辨率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源极、漏极，其中，所述氧化物有源层对应所述源极与漏极间隔位置为沟道区，其特征在于，所述源极和所述氧化物有源层之间形成有源过渡层，所述漏极和所述氧化物有源层之间形成有漏过渡层，其中所述源过渡层和所述漏过渡层不相连，所述源过渡层与漏过渡层直接接触所述氧化物有源层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：成军，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：