半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

通过对将氧化物半导体膜用作沟道的晶体管给予稳定的电特性来制造高可靠性半导体装置。形成可通过热处理具有第一晶体结构的氧化物半导体膜及可通过热处理具有第二晶体结构的氧化物半导体膜而加以层叠，并接着进行热处理，由此通过将具有第二晶体结构的氧化物半导体膜作为晶种而发生晶体生长，以形成具有第一晶体结构的氧化物半导体膜。以此方式形成的氧化物半导体膜应用于晶体管的有源层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括含半导体元件(t匕如晶体管)的电路。例如，本专利技术涉及安装在电源电路上的功率装置；包括存储器、晶闸管、转换器、图像传感器等的半导体集成电路；以及将典型为液晶显示面板、包括发光元件的发光显示装置等电光装置作为组件安装在其上的电子装置。在本说明书中，半导体装置是指可通过利用半导体特性而作用的所有类型的装置，且电光装置、发光显示装置、半导体电路以及电子装置都为半导体装置。
技术介绍
使用非晶硅、多晶硅等来制造形成在玻璃衬底等上的晶体管，这在液晶显示装置中很常见。虽然包括非晶硅的晶体管具有低场效迁移率，但其可以在大玻璃衬底上形成。另一方面，虽然包括多晶硅的晶体管具有高场效迁移率，但其不适合形成在大玻璃衬底上。与包括硅的晶体管不同，使用氧化物半导体来制造晶体管的技术已受到注目，且该晶体管应用于电子装置或光学装置。例如，专利文献I及专利文献2公开一种使用氧化锌或In-Ga-Zn-O类氧化物作为氧化物半导体来制造晶体管的技术，且该晶体管用作显示装置的像素等的开关元件。日本专利申请公开2007-123861号公报日本专利申请`公开2007本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，高桥正弘，丸山哲纪，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：
国别省市：