一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术

一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，制备方法依次包括：a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在所述有源层上沉积有机导电薄膜作为背沟道刻蚀保护层；e.在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后图形化作为源、漏电极图形；f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。本发明专利技术制备工艺简单，所制备的金属氧化物薄膜晶体管稳定性好、尺寸小，可实现金属氧化物薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
近年来，新型平板显示(FPD )产业发展日新月异。消费者对于大尺寸、高分辨率平板显示的高需求量刺激着整个产业不断进行显示技术提升。而作为Fro产业核心技术的薄膜晶体管(TFT)背板技术，也在经历着深刻的变革。传统的非晶硅(a -Si)TFT因为迁移率较低(一般小于0.5)，难以实现高分辨率显示，正面临着被市场淘汰的命运；低温多晶硅(LTPS)TFT虽然迁移率高(5(Γ150)，但是一方面生产工艺复杂、设备投资昂贵，一方面在大尺寸显示中还存在着均匀性差、良品率低等问题，导致LTPS在大尺寸FPD领域的进一步发展举步维艰。相比之下，金属氧化物TFT(MOTFT)不仅具有较高的迁移率(在5 50左右)，而且制作工艺简单，制造成本较低，还具有优异的大面积均匀性。因此MOTFT技术自诞生以来便备受业界瞩目。目前MOTFT主要使用的结构有背沟道刻蚀结构和刻蚀阻挡层结构。背沟道刻蚀结构是在生成有源层之后，在有源层上沉积金属层，并且图形化作为源、漏电极。而刻蚀阻挡层结构是在有源层生成之后，先制作一层刻蚀阻挡层，再在之上沉积金属层并且图形化作为源、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在所述有源层上沉积有机导电薄膜作为背沟道刻蚀保护层；e.在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后图形化作为源、漏电极图形；f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，罗东向，李洪濛，庞佳威，郭颖，王琅，彭俊彪，
申请(专利权)人：广州新视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：