【技术实现步骤摘要】
避免场效应晶体管少数载流子注入的方法及场效应晶体管
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种避免基于p型窄带隙有机小分子的场效应晶体管少数载流子注入的方法及基于p型窄带隙有机小分子的场效应晶体管。
技术介绍
基于有机半导体为有源层的有机场效应晶体管由于其优异的可溶液法制备、柔性和可穿戴等特点，被认为是下一代柔性电子器件的核心元件。随着分子设计、材料生长和器件制备等技术的进步，有机场效应晶体管等的性能得到了极大的提升。其中，用来评价有机场效应晶体管性能指标的最重要参数p型有机半导体的迁移率，其已经达到并超过了无定型硅的标准。但是，目前常见的p型有机半导体，包括聚合物和小分子，很多都存在带隙较窄(<2.0eV)的问题。由此制备的有机场效应晶体管往往都会深受严重的少数载流子(电子)注入效应的干扰，注入的少数载流子会被空气的中的水和氧气所束缚，使得器件偏离理想的行为，严重影响器件工作的可靠性和稳定性。现有技术中，降低少数载流子注入的影响主要通过在有机半导体层中引入杂质分子来阻隔少数载流子和水氧的作用而...
【技术保护点】
1.一种避免基于p型窄带隙有机小分子的场效应晶体管少数载流子注入的方法，其特征在于，所述场效应晶体管包括源电极、漏电极和由p型窄带隙有机小分子形成的p型窄带隙有机小分子层，所述方法包括如下步骤：/n在所述源电极和所述p型窄带隙有机小分子层之间，以及在所述漏电极和所述p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体。/n
【技术特征摘要】
1.一种避免基于p型窄带隙有机小分子的场效应晶体管少数载流子注入的方法，其特征在于，所述场效应晶体管包括源电极、漏电极和由p型窄带隙有机小分子形成的p型窄带隙有机小分子层，所述方法包括如下步骤：
在所述源电极和所述p型窄带隙有机小分子层之间，以及在所述漏电极和所述p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述p型宽带隙有机半导体比p型窄带隙有机小分子具有更高的最低未占据分子轨道能级，且与所述p型窄带隙有机小分子具有相近或更低的最高分子占据轨道能级。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述p型宽带隙有机半导体层的厚度为6-25nm中任一厚度值。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述p型宽带隙有机半导体层的厚度为8-12nm中任一厚度值。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述源电极和所述p型窄带隙有机小分子层之间，以及在所述漏电极和所述p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体层中，是通过真空蒸镀的方式进行负载。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述真空蒸镀的条件为：真空度为1×10-3-1×10-...
【专利技术属性】
技术研发人员：揭建胜，张秀娟，张晓宏，吴晓峰，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。